다양한 위협 요인으로부터 회로 보호하기 (Circuit Protection)

2017-04-10 08:00~14:00

Texas Instruments / 문성민 대리

웨비나정보 웨비나Q&A

허*현2017-04-11 오전 10:37:12
IGBT도 적용가능한가요?
TI12017.04.11
IGBT는 별도의 별도의 gate controller를 사용하셔야 할 것으로 보입니다. 현재 저희 제품들은 외부 FET를 사용하고 있습니다.
정*균2017-04-11 오전 10:36:51
FET를 사용하면, TVS Diode나 바리스터에 비해 어떤점이 장점일까요?
TI12017.04.11
사용하시는 목적이 조금 다르다고 보셔야 할 것 같습니다. TVS나 바리스터가 수 kV의 ESD로 부터 회로를 보호하는 반면 FET는 회로 자체에서 발생하는 overcurrent나 overvoltage 등을 막아줄 수 있습니다.
무명2017-04-11 오전 10:36:15
inrush 의 경우는 매우 짧은 시간에 발생하는데 요즘 제품은 거의 PMIC를 사용하는 것이어서 초기 Capacitor에 의해서 발생하는 inrush를 조정하기가 힘듭니다. 혹시 이런 류에 적용할 수 있는 제품이 있나요?
TI12017.04.11
protection IC, 또는 load switch 같은 제품 중에 soft-start기능이 적용 되어 있는 제품을 사용하시면 될 것으로 보입니다.
이*혁2017-04-11 오전 10:35:56
회로를 보호하려면 먼저 센싱이 제대로 이루어져야 할거 같은데...하나의 칩에서 센싱하고 차단도 하는 IC가 있나요?
TI12017.04.11
네, 센싱 저항, 차단 FET가 모두 단일 칩에 내장 되어있는 제품들이 있습니다.
이*하2017-04-11 오전 10:35:28
일반적인 poly switch에 비해서 응답속도가 어떤가요?
TI12017.04.11
IC 기반의 switch 의 경우 Short circuit 응답속도가 ns 단위 입니다
김*환2017-04-11 오전 10:34:02
과전류 외에 위협 요소가 어떤 것이 있을까요???
TI12017.04.11
ESD, inrush current 등이 있습니다.
김*빈2017-04-11 오전 10:33:19
필드에서 시스템의 손상을 줄수 있는 위협요소는 발생 빈도로 볼때 어떤 종류가 있나요?
TI12017.04.11
저희가 필드에서 접하는 대부분의 위헙요소는 EOS입니다. 대부분의 불량이나 데미지가 overvoltage, overcurrent에 의해 발생합니다.
윤*은2017-04-11 오전 10:27:12
전기차의 고전압 배터리(360V)의 역접속 방지 회로 가능한가요?
TI12017.04.11
수백 V 높은 전압을 단일 IC 로 해결할 수 있는 솔루션은 현재 제공되지 않습니다. 외부 별도 회로들을 구성하셔서 해당 회로 구현하실 수는 있습니다
김*수2017-04-11 오전 10:20:31
이번 세미나로 보호회로에 대한 궁금증이 다 해결되었으면 좋겠네요.
e4ds2017.04.11
오늘은 다양한 원인을 분석하니 강의 자료를 꼭 받으셔서 참고하시길 바랍니다.