SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

2020-08-20 10:30~11:52

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

정*균2020-08-20 오전 11:04:10
Uvlo가 configurable이라는것은 제한없이 정할수 있다는건가요?
Infineon_12020.08.20
디지털 버젼은 선택을 할수 있습니다. 제한이 몇인지를 봐야하는데 원하시는 수준은 선택하실수 있을것 같습니다.
옥*복2020-08-20 오전 11:04:05
Series Resonant Converter Application으로 600V 80Arms 100kHz ~ 120kHz 영역을 사용하고자 합니다. 가격과 성능 고려하여 어떤 소자가 적절할까요
Infineon_12020.08.20
80Arms가 흐르려면 방열조건에 따라 다르겠지만 11mΩ (100A급) 아니면 8mΩ(150A급) 이나 6mΩ (200A급) 이 맞아 보입니다. Easy module 에 half bridge로 구현된 제품이 있으며 TO-247로 가장 전류 제품은 30mΩ (40A급) 을 병렬로 사용하는 방법도 있습니다.
김*열2020-08-20 오전 11:03:46
[질문] 보호기능을 강조하다보면 기존 효율성이 떨어지는 건 아닌지요? 어느 정도 기준이 있다면 알려 주세요.
Infineon_12020.08.20
보호기능이 효율을 떨어뜨리는 경우는 두가지 입니다. 1) 내압으로부터 보호하기 위해 Rg_off를 크게 쓰는 경우 2) 쇼트 내량을 확보하기 위해 Vgs=15V로 사용하는경우 (Vgs=18보다 Rds_on이 나쁨)
이*혁2020-08-20 오전 11:03:11
이번 드라이버 제품은 적용가능한 sic제품군이 어떤건가요? 대용량도 커버가능한가요?
Infineon_12020.08.20
일반적으로 drive Ic의 전류 용량이 모자라면 booster를 사용하는데 시장에서 많이 사용하는 booster npn , pnp 소자의 최대 전류가 6A인 경우가 많습니다. 1ED3491은 최악의 경우에도 6A를 출력하며 typ 9A 소자 이기 때문에 거의 모든 소자를 커버한다고 보시면 됩니다.
채*기2020-08-20 오전 11:03:11
모터 토크용 제어으로 지원 가능한 칩이 있을까요?
Infineon_12020.08.20
모터 제어 칩의 경우 imotion 이라는 제품이 가장 적합해 보입니다. 간략한 모터 스펙 을 입력하면 모터 제어 알고리즘이 들어 있어 쉽게 모터를 제어할수 있습니다. 추후에 관심이 있으면 당사에 문의 부탁드립니다.
신*영2020-08-20 오전 11:02:54
DESAT 기능이 RDS on 통해서 short circuit 감지하는 방식인가요?
Infineon_22020.08.20
네 맞습니다. IGBT의 경우 short circuit 발생 시 Vce(sat)이 5V이상으로 높아지게 되는데 이 전압을 감지해서 보호를 해주는 동작입니다. MOSFET 마찬가지로 short 발생 시 동일하게 VDS전압이 높아지게 되는 것을 감지해서 동작하게 됩니다.
정*균2020-08-20 오전 11:01:39
인버터를 보호하는 방법에는 어떤것들이 있는지요?
Infineon_12020.08.20
소자가 스트레스를 받는경우는 크게 세가지 입니다. 과전압으로 인한 부분 , 과전류로 인한 부분 , 온도로 인한부분 1) 과전압 => 게이트 를 off시켜도 내압을 넘는 전압이 양단에 걸리면 전류가 흐르게 되며 이를 막으려면 전압자체를 낮춰주셔야합니다. 2) 과전류 => 전류가 천천히 상승하는 경우 software가 이를 감지해서 제어를 할수 있으나 쇼트가 나서 순식간에 전류가 상승하는 경우 MCU는 너무 늦습니다. 통상 drive IC로 수 us이내에 게이트를 선 차단하고 후 Fault 보고를 하게 됩니다. 3) SiC 모듈의 경우 내부에 NTC가 내장되어 있어서 static 으로 상승하는 온도는 감지가 가능합니다. 갑자기 온도가 상승하는 부분은 체크가 어려우며 이경우 대부분 쇼트로 과전류로 감지가 가능합니다.
이*승2020-08-20 오전 11:00:39
surge에 대한 부분이 고려되어 있는지요?
Infineon_12020.08.20
입력단 surge를 말씀하기는건지요? 소자 자체에 surge를 고려하기는 어렵습니다. 소자에는 최종적으로 내압보단큰 전압이 인가되지 않도록 시스템을 구현해 주셔야합니다. 인피니언을 포함해서 어떤 소자를 사용하셔도 마찬가지가 될것 같습니다.
김*수2020-08-20 오전 11:00:37
Sic FET 의 경우 short Circuit spec 이 datasheet에 정의되어 있는데요 Si FET 에는 정의 되어 있지 않습니다. 어떤 특성 차이로 spec 의 유무가 결정된 것인지 문의드립니다.
Infineon_22020.08.20
일반적으로 Si MOSFET은 short circuit 내량이 IGBT나 SiC MOSFET대비 좋기 때문에 따로 short circuit spec이 datasheet에 정의가 되어있지 않습니다.
윤*동2020-08-20 오전 10:59:51
인버터에서 발생하는 노이즈에 대한 부분에 차폐나 회피 관련 반영이 되어 있는지요?
Infineon_12020.08.20
소자에 치명적인 노이즈는 c*dv/dt 로 인한 게이트 오동작과 L*di/dt로 인한 내압 이 가장큽니다. 내압은 잘아실것 같고 c*dv/dt에 대해서는 동영상에서 자세히 다루고 있습니다.