SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

2020-08-20 10:30~11:52

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

이*근2020-08-20 오전 10:59:40
관련자료를 볼수 있는 사이트가 있으면 공지해주시죠
Infineon_12020.08.20
www.infineon.com 에서 Power 부분을 눌러보시면 SiC // GaN 에 대한 항목이 구분되어 있고 소자 라인업과 관련 문서들을 보실수 있습니다. 찾기가 어려우시면 당사에 요청해주시면 원하시는 자료를 보내드리도록 하겠습니다.
허*현2020-08-20 오전 10:58:24
제품을 시뮬레이션해볼수 있는 전용 툴이 있나요?
Infineon_12020.08.20
당사에 모터 부하를 타겟으로 IPOSIM이라는 시뮬레이션 툴이 있으며 SiC MOSFET 제품이 출시하면 제품 선택이 가능하도록 업데이트 하고 있습니다 그이외의 제품은 당사에 연락해서 요청을 주시면 대응해드리고 있습니다.
채*기2020-08-20 오전 10:56:24
전류제어 솔로션 사이트 있을까요?
Infineon_12020.08.20
전류제어가 어떤 의미인지 잘모르겠습니다. 전류 센서를 말씀하시는건지요? 조금더 자세히 질문을 해주시면 좀더 구체적인 답변을 드릴수 있을것 같습니다.
김*주2020-08-20 오전 10:49:53
[질문] 암쇼트에 대한 보호회로가 있는 패키지 제품이 있는지요?
Infineon_22020.08.20
향후에 SiC MOSFET이 적용된 IPM이 출시될 예정입니다.
김*환2020-08-20 오전 10:47:27
기존 MOSFET경우 Vds를 통해 Id 제어 그래프가제공 되었는데요 Sic MOSFET도 해당 그래프가 데이터시트에 있나요?
Infineon_12020.08.20
SiC MOSFET은 1200V IGBT를 대체하기 위한 목적이 가장 큽니다 600V에서는 이미 고속 스위칭이 가능한 MOSFET 솔루션이 있었고요. 그로인해 대부분의 데이터 시트가 IGBT와 비슷한 면모가 있습니다. 자세한 부분은 검토하시는 소자를 알려주시면 체크가 가능합니다.
옥*복2020-08-20 오전 10:45:19
1. Short Circuit 내량은 어느정도 수준인가요? 2. 과전류 보호회로 기술은 기존과 동일한지? 만약 회로 구성이 같다면 비교기 Spec 상승에 대한 비용 이슈 및 대책 방안이 있는지? 3. 전반적인 가격 Trend와 최종 SiC 예상가격은 얼마정도로 예상하시는지?
Infineon_12020.08.20
TO-247 제품은 최대 악조건에서 Tsc=3us이며 모듈 제품은 2us입니다. 기존의 IGBT 경우 600V는 5us 1200V는 10us이었기 떄문에 동일한 보호회로를 구현하시면 응답시간이 늦을수 있습니다. 비교기 보다는 빠른 보호기능이 있는 drive IC를 추천드립니다. 소자만 놓고 보면 가격 상승이 많이 되며 총 시스템의 가격과 효율 사이즈등을 가격으로 환산한다면 메리트가 있다고 보고 있습니다. 가격은 전류 용량에 따라서 천차만별입니다.
지*호2020-08-20 오전 10:45:17
[질문]고효율 인버터와 일반 인버터의 경우에 어떤 차이가 중요한 지표로 구분 되는지 궁금합니다.
Infineon_12020.08.20
효율은 소자의 손실을 의미하고 손실에 대해서는 결국 두가지가 지표로 작용합니다. 1) switching loss (Eon & Eoff & Qg) 2) conduction loss (Vce,sat & Rds_on) 스위칭 손실의 경우 Rg에 따라 달라지다 보니 Rg를 튜닝하는데 영향을 주는 Vgs(th)와 Vds (내압)도 영향을 준다고 보는게 맞을것 같습니다.
김*문2020-08-20 오전 10:44:33
[질문] 3상 모터 구동에 적용시 패키지가 좋은지? 아니면 디스크리트 타입을 적용하는게 좋은지요?
Infineon_22020.08.20
패키지를 사용하게 되면 조립이 용이한 이점이 있으나 cost가 discrete대비 높은 부분이 있습니다. discrete을 적용하는 경우 cost는 낮아질 수 있지만 gate drive 회로 부분 설계에 대한 검증등 으로 인한 개발 기간이 길어질 수 있는 부분이 있습니다.
손*환2020-08-20 오전 10:43:35
[질문] MOSFET의 효율을 올리기 위해 Tradeoff 되는 사항은 어떤것이 있나요.
Infineon_12020.08.20
게이트 저항을 키워서 c*dv/dt와 turn-off spike를 튜닝하게 됩니다. 또한 인피니언 SiC MOSFET 제품은 Vgs=15V일떄 short circuit 내량을 갖고 Vgs=18일때는 내량이 없는 대신 Rds_on이 올라갑니다.
김*환2020-08-20 오전 10:42:27
문턱 전압 쉬프트 현상은 왜 발생 하는 건가요?
Infineon_12020.08.20
SiC 물성의 특성이라고 알고 있습니다 인피니언 제품뿐만 아니라 모든 SiC가 동일하며 해당관련해서는 논문도 많이 나와있는것 같습니다.