SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

2021-07-22 10:30~12:15

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

조*묵2021-07-22 오전 11:22:16
그렇다면 처음 파워 온 시 소프트 턴온 기능으로 채터링 rining 방지에 도움이 될까요?
Infineon_12021.07.22
초기 파워 온시에는 DC-cap 충전으로 인해 ringing이 발생하거나 차단기가 붙으면서 ringing이 발생했을수도 있을것 같습니다. 원인을 명확하게 찾으면 개선하실수 있을것 같습니다.
문*웅2021-07-22 오전 11:22:11
단락 테스트를 통해서 시스템의 보호 기능이 잘 동작하는지 확인하려는 경우 점검하고 검토해야 할 요소들에 대해서 질문드립니다
Infineon_22021.07.22
gate ringing, peak 전압은 충분히 마진을 있는지, peak 전류는 얼마나 되는지 확인을 보시고 마진이 있는지 확인이 필요합니다. 감사합니다.
이*수2021-07-22 오전 11:20:19
SiC MOSFET 설계를 하는 경우 소자 선정과 게이트 저항값 튜닝을 효율적하는 방법에 대해서 문의드립니다
Infineon_12021.07.22
소자 선정은 두가지 선택이 있을것 같습니다. 1) 내압이 650V? 1200V? 2) Rds_on 값 내압에 마진이 너무 적으면 큰 Rg가 필수라서 스위칭 손실이 커질수 있습니다. Rds_on이 작을수록 Qg값이 크며 스위칭 손실이 높아집니다 Fsw가 아주 크다면 적당한 Rds_on이 best입니다. Rg 선정에도 두가지 파라미터가 있습니다. 1) turn-off spike 2) c*dv/dt 1)에서는 Rg-Off를 키워야 하고 2) 에서는 Rg_on을 키우고 Rg_off를 줄여야 하기 떄문에 두가지 테스트를 반복하면서 값을 찾아야합니다.
박*근2021-07-22 오전 11:19:04
DC Link 라인의 인덕턴스를 줄이기 위해서 PN패턴을 넓은 판으로 위아래로 PN상을 구성하여 Cap에 연결하는 경우 라인을 짧게 했을 때처럼 인덕턴스를 줄일 수 있을까요?
Infineon_12021.07.22
판이 넓은것도 도움이 될수 있지만 절대 거리를 가깝게 해주시는게 best입니다. 의도적으로 거리를 멀리해보시면 얼마나 치명적인지 알수 있습니다.
강*성2021-07-22 오전 11:18:41
병렬 구동하면 전류는 분산되지만 Qgs는 2배가 되는것 아닐지요? A) 네 맞습니다 C값이 두배가 됩니다. 그럼 switching Loss는 증가하는것 아닌지요? 병렬 / switching loss / conduction loss 최적 방안 guide 가능할까요?
Infineon_22021.07.22
안녕하세요. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Example_of_hard_paralleling_SiC_MOSFET_modules-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017042b654bd3579 사이트를 참조하시면 병렬 방법을 참조하세요. 감사합니다.
임*수2021-07-22 오전 11:18:19
더블펄스 테스트의 주요 목적은 시스템에서 SiC 소자의 switching loss를 측정하기 위함인가요?
Infineon_22021.07.22
네 Eon, Eoff 및 dv/dt, di/dt 등 다양한 dynamic 특성을 확인하실 수 있습니다. 감사합니다.
문*웅2021-07-22 오전 11:17:57
시스템 보호 기능을 체크하는 경우 인피니언 소자를 어떻게 활용하면 효율적인 지 질문드립니다
Infineon_12021.07.22
보호기능의 경우 short circuit 내량이 큰 힘이 될것 같습니다. 내량이 3us라면 소자 보호기능 구동이 그안에 동작해야합니다.
김*래2021-07-22 오전 11:15:40
Eon과 Eoff는 측정 장비에서 표시되나요?
Infineon_12021.07.22
Eon 과 Eoff는 측정해서 얻는 결과입니다. 전류,전압 (Vds) , 게이트 전압 (Vgs)를 측정하고 오실로스코프에서 전류*전압을 해서 적분시키면 값을 얻을수 있습니다. 해당 오실로 스코프가 계산기능을 내장하고 있어야 합니다.
김*호2021-07-22 오전 11:14:37
말씀 해주신 부분이 맞네요.. eon, eoff만 2% 이네요. 감사드립니다.
Infineon_12021.07.22
또 궁금한 부분이 있으며 질문주세요
최*석2021-07-22 오전 11:14:07
인피니온 SiC MOSFET datasheet에 MOSFET dv/dt ruggedness 항목이 있는데(200V/ns), Body diode가 아닌 hard switching에서 dv/dt로 알고 있는데, switching dv/dt는 이론적인 failure mode로 SiC MOSFET이 fail되는 경우가 있는지요?