SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

2021-07-22 10:30~12:15

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

윤*은2021-07-22 오전 11:06:52
400V dclink 전압인경우 650V SiC FET 사용해도되나요?
Infineon_22021.07.22
일반적으로 전압 소자 선정은 아래와 같습니다. line 전압이 220V인경우 DC link 전압은 310V가 됩니다. 에어콘의 경우 380V 까지 부스팅해서 일반적으로 사용합니다. stray inductance 가 작게 DC LINK 와 소자간에 거리를 최소화 하면 400V에도 사용가능합니다. 감사합니다. short circuit 시험에서 turn off 시 전압 마진이 있는지 확인도 필요합니다.
최*석2021-07-22 오전 11:06:33
Rg를 키우면 Switching loss가 커지기 때문에 Gate Ferrite bead 를 사용하면, Gate oscillation을 효과적으로 줄일 수 있을 것 같은데, SiC에서 효과가 있는지요?
Infineon_12021.07.22
오실레이션을 그럴수 있으나 Rg를 키우는 근본적인 이유인 c*dv/dt는 bead로 해결이 안될거 같습니다. 아직 SiC에 bead를달아보진 않았습니다.
이*근2021-07-22 오전 11:06:26
관련자료를 볼수 있는 사이트가 있으면 공지해주시죠
Infineon_32021.07.22
금일 소개된 SiC MOSFET 및 보드는 다음 페이지에서 자세한 내용을 확인하실 수 있습니다 ^^ https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/ https://www.infineon.com/cms/en/product/evaluation-boards/eval-1edc20h12ah-sic/
강*완2021-07-22 오전 11:06:07
[질문]성능,발열 내구성,MTBF등 지표 간에,상관성 데이터 알 수 있나요?
Infineon_12021.07.22
발열이 클수록 △T가 크고 이부분이 power cycle과 연관이 있습니다. 특정 소자에 대해서 신뢰성 데이터를 보시면 원하시는 자료를 보실수 있을것 같습니다
김*호2021-07-22 오전 11:05:52
22페이지에서.. 700V 만들어주시면 될것 같습니다. ^^ 1200V는 가격이 두배일것 같아요
Infineon_12021.07.22
아쉽지만 아직 700V는 계획이 없는것으로 알고 있습니다. 스펙을 낮추실수 없다면 1200V로 고려하셔야 될것 같습니다.
조*묵2021-07-22 오전 11:03:44
와이어가 길면 노이즈가 발생할텐데 방사노이즈는 어느 주파수대가 가장 취약할까요? 필터를 사용한다면 파트 전단에 설치하는게 좋을까요?
Infineon_12021.07.22
와이어를 길게 해서 노이즈를 만들고 그걸 해결하는것 보다 와이어나 stray inductance 를 줄여서 노이즈를 없애는게 어떨까 싶습니다. 한번 발생하면 해결하기 쉽지 않은것 같습니다.
이*무2021-07-22 오전 11:02:35
Film Cap 없이 CE-Cap 만 사용해도 되나요?
Infineon_12021.07.22
이미 설계를 잘하셔서 다 아실것 같습니다. 일반적으로 Film cap은 dynamic한 리플을 잡아주고 전해 cap은 static (DC)성 리플을 잡아줍니다. 큰 시스템 설계를 보면 같이 사용하는경우가 많습니다.
전*호2021-07-22 오전 10:59:53
[질문] 인피니언 시스템 보호 기능과 소자 적용 관련 최근 이슈와 해결사례가 궁금합니다.
Infineon_12021.07.22
과전류 보호는 다들 잘하고 계신거라고 생각합니다 그래서 이번 웨비나 에서는 turn-off spike와 c*dv/dt에 집중을 했습니다. 궁금하신 보호기느을 말씀해주시면 설명드릴수 있도록 하겠습니다.
조*묵2021-07-22 오전 10:57:36
[질문] BOARD 설계시 유의사항이 있다면 어떤게 있을까요? 사양에 따른 방열, 최대 전류 패턴 설계 등 DATASHEET 정보 알 수 있을가요?
Infineon_12021.07.22
보드 설계시 가장 중요한 부분은 DC-link stray inductance입니다. 일부러 와이어를 길게해서 영향을 보여드렸습니다.
김*호2021-07-22 오전 10:57:22
MOSFET의 경우 TDOFF 측정시에 VDS의 10% 지점에서 Switching time이 아닐까요?? SiC에서부터 변경이 되었을까요? 17페이지 자료 입니다.
Infineon_12021.07.22
Td,on Td,off 과 Eon,Eoff는 각업체마다 define이 다릅니다. 인피니언 SiC MOSFET은 IGBT 와 거의 비슷한 define을 가지고 있습니다.