SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

2021-07-22 10:30~12:15

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

이*승2021-07-22 오전 10:56:51
평가보드에서 진단하고 실설계에 반영했을 때 gap이나 오차는 어느정도 있는지요?
Infineon_12021.07.22
실설계를 하시면 설계된 보드에서 튜닝을 다시하셔야합니다. double pulse는 보드혹은 시스템에 따라 다 다른 결과가 나오게 됩니다.
이*무2021-07-22 오전 10:55:41
같은 인덕턴스 값이라도 주파수 특성에 의한 전류 오실레이션이 다른것으로 알고 있는데, 인덕터 추천 가능하신가요?
Infineon_22021.07.22
안녕하세요. double pulse test의 경우 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Double_pulse_testing-Bodos_power_systems-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171ee81ad6c4a1f 를 참조하세요. 감사합니다.
Kwon***2021-07-22 오전 10:52:55
전류의 공진주파수가 높아 전류 프로브의 대역폭이 만족하지 못하는 경우가 생기는데 전류 프로브는 어떤 형태를 사용하셨나요?
Infineon_12021.07.22
Lecroy AP015 전류 프로브를 사용했습니다. 아주 정밀한 장비를 쓰면 좋겠지만 이번에는 일반적인 프로브를 사용해서 측정했습니다.
김*주2021-07-22 오전 10:52:45
전기차가 요즘 800V급 배터리를 사용하여 이 사양에 맞는 Mosfet은 몇 V를 사용해야 되나요? 전압 마진을 얼만큼 두는게 맞는지?
Infineon_22021.07.22
예전에 IGBT로 전기 버스 검토시에 800V의 경우 1700V IGBT를 사용하여 진행하였습니다. 따라서, 800V의 경우 SIC도 동일하게 적용된다고 여겨집니다. 감사합니다.
최*석2021-07-22 오전 10:52:42
인피니온 제품은 Trench gate라 Vth drift가 덜 발생하는것으로 알고 있는데, negative drive시에는 인피니온 제품도 Vth drift 문제가 있는지요?
Infineon_12021.07.22
모든 SiC MOSFET은 문턱전압 이슈를 가지고 있습니다 그렇기 떄문에 업체마다 negative 전압에 대한 limit를 제공하고 있습니다. 인피니언은 AN 파일에 주파수와 negative 전압을 이루어진 SOA 영역을 제공합니다.
김*주2021-07-22 오전 10:51:42
[질문] SIC MosFet을 전기차 구동 인버터에도 적용이 되나요?
Infineon_22021.07.22
오래 전부터 시험하며 검토 중인 것으로 알고 있습니다. 감사합니다.
김*용2021-07-22 오전 10:50:53
소자특성관련 세미나 자주 해주시면 좋겠습니다.
Infineon_32021.07.22
좋은 의견 감사합니다 ^^
김*진2021-07-22 오전 10:50:12
gate parastic turn-on 은 턴-오프 시 의도하지 않은 재 턴-온 인데요, 이러한 상황에서 turn-on 저항이 커지는 것이 아무런 영향이 없을것 같아서 질문을 드립니다.
Infineon_12021.07.22
하단에 기생 턴온이 발생할때는 상단에서 만든 dv/dt가 영향을 주는데 상단 Rg_on이 영향을 줍니다 상단에 기생턴온이 발생할때는 하단에서 만든 dv/dt가 영향을 주는데 하단 Rg_on이 영향을 줍니다. 결국 서로가 서로에게 Rg_on 영향을 주게 됩니다.
조*묵2021-07-22 오전 10:50:11
제품에 어떤 인증이 적용 되었나요? UL? CE?
Infineon_12021.07.22
UL의 절연관련 인증을 말씀하시는거 맞으신지요? 일반적으로 UL절연 인증은 chip에 달리지 않고 패키지로 받게 됩니다. 이미 UL을 갖고 있는 Easy 패키지에 SiC MOSFET이 들어가면 마찬가지로 인증을 받게 됩니다.
김*문2021-07-22 오전 10:50:01
답변 감사합니다. 노칭 및 데드 타임 고려도 해야 겠네요.
Infineon_12021.07.22
스위칭 속도가 아주 빠르기 떄문에 데드타임으로인한 short 보다는 c*dv/dt로 인한 short가 더 빈번하게 발생합니다. us단위 데드타임이면 충분해 보이며 ns로 데드타임을 주실때는 측정이 필요해 보입니다.