2021-08-31 10:30~12:00
Microchip Technology Inc. / 민석규 수석
최*석2021-08-31 오전 10:48:18
Body Diode Stability 관련해서, 흥미로운데요. Body diode로 constant current가 계속 흐르는 application 이 어떤것이 있으며, 일반적인 application같이 body diode로 dead time 동안 pulse current 로 흐르는 경우에도 Rds(on)이 degradation이 될 수 있는지요?Microchip_Douglas2021.08.31
어떠한 토폴로지에서도 바디다이오드로는 스위치 오프때만이 전류가 흐릅니다. 이번 실험에서 연속 구동 전류를 흘린것은 일종의 가속화 실험입니다. degradation(열화)가 없는 공급업체는 마이크로칩뿐입니다.이*희2021-08-31 오전 10:46:51
Microchip 제품이 타사 제품 대비 장단점은 무엇인가요?Microchip_Douglas2021.08.31
스위칭 소자의 높은 신뢰성 입니다. 강건함은 타사와 비교할 수 없을 정도로 우수합니다.김*수2021-08-31 오전 10:45:01
SMD Package가 있나요? R_DS(ON) 저항이 작다면 방열을 신경 쓰지 않아도 되는 SMD 타입이 많으면 좋겠는데요.Microchip_ks2021.08.31
SMD 형태로는 D2Package 가 있습니다. 그런데 아무리 효율이 좋아도 SiC 는 전류가 상당히 큰 제품에 상용 되므로 방열판등 열관련 설계가 필요합니다.namh***2021-08-31 오전 10:44:46
SC 관련하여 혹은 OC관련하여 관련 회로도 및 EVM이 나와 있나요??Microchip_Douglas2021.08.31
네. 저희 회사에 Agile switch 디지탈 게이트 드라이버 내에 관련 솔루션이 내장되어 있습니다. 회로도는 역시 제공이 가능합니다.namh***2021-08-31 오전 10:44:04
플러스 전압은 SC TIME와 손실 고려해서 얼마가 가장 이상적인가요? 혹은 통상적인 전압은 얼마인가요?Microchip_Douglas2021.08.31
각 사마다 SiC 게이트 전압의 스윙범위가 다릅니다. 저희는 -5/+20에서 최적의 conduction loss를 갖습니다.이*원2021-08-31 오전 10:44:03
주요경쟁사는 어디어디가 있는지와 차별화된 기능이 어떤게 있나요Microchip_Douglas2021.08.31
Major 전력반도체 회사는 거의 모두 SiC solution을 가지고 있습니다. 누가 더 많은 IP(특허) 그리고 안정적인 전기적 특성을 갖는지, 가격은 어떤지가 경쟁의 키가 될것입니다. 저희 차별화는 강건한 특성과 바디다이오드의 DEGRADATION(열화)가 거의 없고 온도에 따른 Rds-on특성이 매우 안정적입니다.정*균2021-08-31 오전 10:43:31
기존에 실리콘 카바이드 성능은 좋지만, 가격적인 부분 때문에 아직은 FET나 IGBT에 비해서 시장에서 점유율이 못 따라오는것으로 알고 있습니다. 지금은 상황이 많이 달라졌는지요?Microchip_Jake2021.08.31
네 SiC의 필요성이 점점 크게 확대되고 있습니다. 고전압, 고효율의 어플리케이션이 요구되기 때문입니다. 시장에서 전기차(충전까지 포함) 시장이 좋은 예가 될 것입니다.강*호2021-08-31 오전 10:40:21
SiC 장점 설명을 해주셨는데, 기존 대비 안좋아지는 factor들도 있는지요?(trade-off)Microchip_Douglas2021.08.31
현재는 Si대비하여 가격이 비쌉니다. 하지만 볼륨이 늘어날 경우 SiC가 실리콘보다 비쌀 이유는 없습니다. 또한 내압이 적은 application의 경우는 Si이 더 적합하여 보입니다. 거의 모든 특성에 대하여 실리콘 보다 우수합니다. 이는 재료의 물성적인 특성입니다.임*수2021-08-31 오전 10:40:20
SiC가 IGBT에 비해 효율도 좋고 크기도 작고 신뢰성도 좋은데 가격까지 저렴하면 (그게 사실이라면) IGBT는 조만간 지구상에서 사라진다는 얘기 아닌가요? 솔직히 뭔가 단점도 있을만 한데요...Microchip_Douglas2021.08.31
개인적으로 SiC볼륨이 늘게 되면 나중에 거의 모든 IGBT application을 대체할 것이라 예상합니다. 이는 사용주파수의 한계가 상대적으로 플렉서블하며(고주파 스위칭 가능), 효율이 매우 높기 때문입니다. 실제로 Continuous current를 흘려주는 릴레이용 IGBT application도 SiC가 검토 되어지고 있습니다. 많은 스위치의 수를 절감할 수 있습니다.이*희2021-08-31 오전 10:39:48
당사에서도 ESS 제품을 사용하고 있는데요. 화제도 몇 번 일어났었고, 조금은 안전상에 문제가 있는 것은 아닌가요? 이 부분은 현재 제어 가능한 수준인가요?Microchip_Douglas2021.08.31
화재의 원인이 무엇인지는 모르겠지만 SOA영역에서 사용할 경우 Si보다 훨씬 안정적입니다. 또한 쇼트가 날경우 단락회로 안정성이(견디는 시간) 매우 우수하므로 안정적으로 보호회로를 구현하실 수 있습니다.[열린보도원칙] 당 매체는 독자와 취재원 등 뉴스이용자의 권리 보장을 위해 반론이나 정정보도, 추후보도를 요청할 수 있는 창구를 열어두고 있음을 알려드립니다.
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