배터리 관리 시스템의 구성 요소 및 보호용 MOSFET선정 기준에 대한 이해

2023-05-09 10:30~12:00

Infineon / 김용진 이사

  • 최*완2023-05-09 오전 11:00:48

    예 고맙습니다. 제 질문은 그렇게 최대한 가능한 조치를 해도 몇 프로 정도의 불평형을 고려하는지가 궁긍합니다.
  • Infineon_32023.05.09

    요구되는 시스템 설계 조건에 따라 다르겠지만, 최대로 쏠림현상이 발생했을시 해당 MOSFET의 SOA 이내로 동작하고, Tj max 이하의 조건으로 설계하여햐 합니다.
  • 김*오2023-05-09 오전 10:55:52

    MOSFET 은 열폭주로 병렬 운전이 어렵다고 하는데 대안이 있는가요?
  • Infineon_32023.05.09

    Steady state에서 열로 인한 Rds(on)의 변화로 각 병렬 구성된 MOSFET의 전류 평형이 이뤄지게 됩니다.
  • 최*완2023-05-09 오전 10:54:46

    모스펫을 병렬로 연결하는 구조인 것 같은데 병렬 소자간 전류 불평형은 어느 정도인지 궁금합니다.
  • Infineon_32023.05.09

    Steady state 에서는 온도 상승에 의한 Rds(on)의 변화로 평형이 이루어집니다. Switching transient의 경우 gate driving curcuit/ PCB pattern/ Vgs(th)의 편차 등으로 인한 불평형이 발생 할 수 있어 이를 고려한 설계가 필요합니다.
  • 임*언2023-05-09 오전 10:54:40

    FET를 병렬로 사용한다면 균등하게 전류가 흐를까요? Rds 저항에 따라서 전류 차이를 고려해야 하는지 문의 드리고 싶습니다.
  • infineon_12023.05.09

    MOSFET병렬로 사용시 모든 MOSFET이 turn on이 되어 있는 상태에서는 Rds(on) vs. Tj 특성에 따라 전류가 쏠린 MOSFET의 Rds(on)이 상승하고, 이에 따라 전류가 흐르지 못하게 되어 열평형이 자동으로 이루어집니다. 단 Turn on/off 시는 Vgs(th)의 특성 등으로 전류흐름에 차이가 발생할 수 있습니다.
  • 최*은2023-05-09 오전 10:53:25

    [질문] MOSFET과 IGBT의 손실은 비슷한가요? 어느 하나가 더 높은가요?
  • infineon_12023.05.09

    단품으로 1:1로 비교할 수 는 없습니다만, 손실은 내압, package가 동일하다면 동일전류에 대한 손실은 MOSFET이 적다고 할수 있습니다.
  • 김*환2023-05-09 오전 10:51:53

    전류 레이팅에 따른 MOSFET 온도가 상승할거 같은데요 해당 상승 곡선이나 열저항 방열저항 값의 근거나 시험결과가 있나요?
  • Infineon_22023.05.09

    MOSFET 의 datasheet 에서 RθJC 와 RθJA 값을 통해 유출하실 수 있습니다. 다만 데이터 시트에서 제공되는 이러한 값은 MOSFET의 온도 상승 특성을 추정하는 데 도움을 주지만, 실제 환경에서의 온도 상승은 여러 요인에 의해 영향을 받을 수 있습니다.
  • 김*훈2023-05-09 오전 10:51:42

    14S 7P 배터리면 총 갯수가 14x7을 의미하는건가요?
  • Infineon_32023.05.09

    네 맞습니다. 14개 직렬 x 7 개 병렬 구성입니다.
  • 문*진2023-05-09 오전 10:48:51

    E-scooter, LEV, BBIU(Battery Backup Unit) 최대 전압, 최대 전류가 긍금합니다. iot 단말에 전원을 유지하는데 필요한 배터리에 전류 전압 용량에 비례한 배터리 모듈울 연결하면 되는지요?
  • infineon_12023.05.09

    E-scooter, LEV, BBIU(Battery Backup Unit) 최대 전압, 최대 전류는 Battery cell을 직렬/병렬로 어떻게 구성하는지에 따라서 달라지게 됩니다. 전압은 보통 48V로 구동하는 것이 일반적이고, 전류는 30A~50A 정도가 일반적입니다.
  • 조*익2023-05-09 오전 10:44:42

    4.2V 20A정도 사용시 전력 손실에 민감 할 것 같습니다 해당 내용의 해결을 위한 기술자료가 있으면 공유 부탁하겠습니다
  • Infineon_32023.05.09

    인피니언 홈페이지에 다양한 종류의 Rds(on) / Package를 가지는 제품이 소개 되어 있습니다. 큰 패키지 / 낮은 Rds(on)을 사용하시는 경우 conduction loss를 최소화 할 수 있습니다.
  • 김*민2023-05-09 오전 10:44:41

    [질문] 커몬 드레인의 단점은 어떤것들이 있나요??
  • Infineon_22023.05.09

    커먼 드레인 구성은 커먼 소스와 비교시 아래와 같이 두가지 단점을 가지고 있습니다. 1. Need a charge pump to drive both MOSFETs 2. More complex design
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