배터리 관리 시스템의 구성 요소 및 보호용 MOSFET선정 기준에 대한 이해

2023-05-09 10:30~12:00

Infineon / 김용진 이사

웨비나정보 웨비나Q&A

강*성2023-05-09 오전 10:44:02
답변 감사합니다 병령 구동 관련 Driving circuit은 직렬 gate 저항과 방전 저항을 말씀 하시는지요? 아니면 Driver를 말씀 하시는지요?
infineon_12023.05.09
네. Ron, Roff 저항입니다.
안*구2023-05-09 오전 10:43:15
백투백구성에서 외부 노이즈에 의한 게이트 드라이버 오동작으로 양 스위치가 쇼트발생하는 경우, 드라이버단에서 적절한 보호기능 갖추고 있을까요?
infineon_12023.05.09
백투백구성이라도 MOSFET이 Turn on이 되면 Drain-Source는 서로 도통하게 됩니다. 배터리 쇼트와 같은 상황에서는 Shunt Resistor를 이용하여 protection 동작이 이루어집니다.
조*익2023-05-09 오전 10:43:12
배터리 구성에 PCM 구성에 충방전에 구성 가능한 FET 종류좀 부탁하겠습니다
infineon_12023.05.09
Battery Cell 구조를 어떻게 가져가는지에 따라 MOSFET은 다양하게 사용합니다. 보통 내압은 전체 Battery 전압의 2배, 전류는 MOSFET의 온도상승을 고려하여 Rds(on)을 선정하실 수 있습니다.
유*열2023-05-09 오전 10:42:08
인피니언의 prtection FET의 전류 최대 용량은 얼마나 되나요
Infineon_32023.05.09
내압 / 패키지에 따라 상이 합니다. 인피니언 홈페이지에서 세부적인 MOSFET의 특성을 확인하실 수 있습니다.
문*진2023-05-09 오전 10:41:32
배터리가 장착된 iot단말에 배터리인경우 E-scooter, LEV, BBIU(Battery Backup Unit)를 사용하면 최대 몇v, 몇 Amp 까지 지원하나요?
Infineon_32023.05.09
질문하시는 내용이 정확하게 파악되지 않습니다. 다시 질문주시면 답변드리겠습니다.
조*익2023-05-09 오전 10:39:50
절체 동작시 릴레이는 체터링에 문제가 있더라구요, 전력 손실이 없는 FET 부품 및 회로 구성 공유 부탁합니다
infineon_12023.05.09
릴레이 대신 MOSFET을 사용할경우에도 전력손실은 있습니다. (Ron에 따른 도통손실) 그리고, 회로 구성과 관련해서는 당사 Web page를 참고해주시기 바랍니다. https://www.infineon.com/cms/en/applications/solutions/battery-management-system/
김상**2023-05-09 오전 10:39:18
보호용 MOSFET을 선정할 때 가장 염두에 두어야 할 사항은 무엇이 있을까요?
Infineon_32023.05.09
Charging/ Discharging 시의 Conduction loss, turn on/off 시의 전류 불평형, SOA 등이 중요하다고 생각합니다.
안*구2023-05-09 오전 10:39:03
R-shunt 대체 솔루션이 있을 까요?
Infineon_22023.05.09
R-shunt 대체로 hall sensor, 전류 sensor, Rogowski 코일 등 있습니다.
윤*준2023-05-09 오전 10:38:45
베터리셀 대신 슈퍼캡을 사용할 경우 동일한 보호소자를 사용할 수 있나요? 배터리 셀과 슈퍼캡의 특성이 다르기 때문에 동일하게 적용할 수 없을 것같은데요...
infineon_12023.05.09
Li-ion battery와 Super Cap은 전압/전류 사양이 다르기 때문에 Li-ion battery BMS를 그대로 Super Cap에 사용하실수는 없습니다. 적절한 소자를 선정할 필요가 있습니다.
김*민2023-05-09 오전 10:37:55
[질문] 멀티 배터리 팩에 적합한 MOSFET과 IGBT가 따로 있나요? 각각의 경우 추천 부탁드립니다.
Infineon_32023.05.09
BMS 에 사용되는 Protection switch 의 경우 conduction loss 가 중요하기 때문에 MOSFET을 병렬구성하여 사용되고 있습니다. 요구되는 전압과 전류에 따라 구성은 변경될 수 있습니다.