고출력 스위칭 분야에 탁월한 Microchip SiC 제품

2023-10-24 10:30~12:00

Microchip Technology Inc. / 민석규 수석

웨비나정보 웨비나Q&A

최*규2023-10-24 오전 10:50:09
SiC 제품군 사양이 궁금합니다. Auto Spec. 750V/800A급 제품까지 SiC로 커버 가능할지요?
Microchip_Douglas2023.10.24
파워모듈은 1200/950A까지 제품이 나오고 있습니다. 충분히 가능합니다.
조*익2023-10-24 오전 10:48:24
gate drivers 보드 구매처는 어떻게 될지 문의 드립니다
Microchip_Douglas2023.10.24
웨비나가 끝나면 douglas.min@microchip.com으로 연락주시면, 구매 방법을 알려드리겠습니다.
조*익2023-10-24 오전 10:47:12
현재 필요시점인데, 패키지 사이즈만 작으면 좋을 것 같은데 사용해봐야 할 것 같습니다~
Microchip_Douglas2023.10.24
패키지는 to220, 247, sot227, D2MAX7L, 247 notched package가 있습니다. 필요하시면 마이크로칩 담당 세일즈나 대리점으로 연작주시면 됩니다. douglas.min@microchip.com으로 연락주세요
김*윤2023-10-24 오전 10:45:16
Super-Junction MOSFET나 Trench MOSFET 과 비교했을 때 특성면에서 SiC가 월등한가요??
Microchip_Douglas2023.10.24
러기드니스(강건함) 만보면 플라나구조가 트렌치보다 매우 우수합니다.
강*성2023-10-24 오전 10:44:00
sic (WBG)가 high speed 스위칭이 가능한 장점은 있지만 그로인해 dv/dt가 큼에 따른 side effect나 설계시 주의점 있을까요?
Microchip_Douglas2023.10.24
일단, 게이트 드라이버의 dv/dt가 충분한 캐파가 필요하며, 스위칭의 오버슛 언더슛을 잘 디자인 하셔야 합니다. 마이크로칩의 게이트드라이버는 이를 가능케 하며 후반에 설명이 나옵니다.
권*안2023-10-24 오전 10:43:01
Vds 와 Vgs를 동시에 고려한 Ruggedness 데이터는 없느느지요?
Microchip_Douglas2023.10.24
Vds는 앱솔루트맥시멈레이팅에 관계된 특성이며, 이는 데이터시트에 명기된것외에 마이크로핍 자체 마진이 상당히 있습니다.
이*혁2023-10-24 오전 10:42:13
고속 스위칭을 통한 소형화와 SiC 소자의 고효율은 반비례 관계인거죠??
Microchip_Douglas2023.10.24
반비례가 아니며, 각각 다른 디자인 팩터입니다. 추가 질문 주셔도 됩니다.
조*익2023-10-24 오전 10:40:36
타사와 부품 비교한 자료가 있는지 문의 드립니다
Microchip_Douglas2023.10.24
네 이제 계속 나옵니다. 이번 웨비나에서는 러기드니스, 칩의 강건함만 비교하고 있습니다.
이*진2023-10-24 오전 10:40:20
[질문] 고출력 스위칭에서 고출력은 어느 레벨 이상을 말하는 것인지요? 그리고 고출력과 스위칭 속도도 관련이 있는지요?
Microchip_Douglas2023.10.24
이는 개인적인 주관이 포함된 답변이지만 수백와트에서 수십~수백KW를 의미한다고 보시면 됩니다. 고출력은 파워 덴서티, 즉 정해진 체적내에서 낼수있는 최대의 파워를 낼수 있는 것입니다. 스위칭 주파수를 올리면 적은 체적에서 높은 파워를 낼 수 있습니다. SiC는 턴오프로스가 제로에 가깝고, 주파수를 높이는 것에 매우 유리합니다.
김*윤2023-10-24 오전 10:40:07
Module에는 Gate Driver가 내장 되어 있는건가요?
Microchip_Douglas2023.10.24
저희 파워모듈에는 게이트 드라이버가 내장되어 있지 않습니다. MHz이상에서 쓰이는 DRF시리즈는 내장 되어 있습니다. 즉 SiC는 외부에 드라이버를 따로 쓰셔야 합니다.