GaN
칼륨나이트라이드
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전력반도체 글로벌 각축전 ST 1위...中-메이저 격차↓, 공급 과잉 리스크↑

▲2023 SiC 파워 디바이스 매출 글로벌 시장 점유율 / (이미지 : 트렌드포스) 글로벌 5대 제조사, SiC서 90% 이상 차지 中·글로벌 SiC 확장책 일관, 공급과잉 우려 中-메이저 간 기술격차 축소, 8인치 협업 必 전력반도체 ..

2024.06.25by 권신혁 기자

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TI, 업계 최초 GaN IPM 공개…가전 시장 요구 한 번에 해결

TI 650V IPM GaN 기술 통합…가전·HVAC 시스템서 99% 이상 인버터 효율 구현  외부 방열판 불필요…경쟁사 IPM 솔루션 比 PCB 사이즈 최대 55% 축소 가능   텍사스 인스트루먼트(..

2024.06.13by 성유창 기자

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인피니언, 8인치 파운드리 공정 기반 CoolGaN™ 트랜지스터 제품군 출시

말레이시아·오스트리아 공장서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조 650V·중전압 두 가지 제품군 출시…40V ~ 700V에 이르는 GaN 디바이스에 특화 향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Gr..

2024.06.04by 성유창 기자

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ETRI, 국내 기업 GaN 반도체칩 설계·제작 돕는다

  150㎚ GaN 설계 키트 공개·칩 제작 서비스 시행 차세대 반도체 기술 방산·6G·위성 등 자립화 기대 국내 연구진이 처음으로 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 국산화를 위한 파운드리 시..

2024.04.05by 배종인 기자

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인피니언, 고성능 시스템 위한 차세대 CoolSiC™ MOSFET G2 출시

前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지 전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소   인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 ..

2024.03.11by 성유창 기자

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xEV가 몰고 온 車 반도체 시장 성장에 SiC·GaN도 주목

▲Ezgi Dogmus Yole 그룹 애널리스트가 발표하고 있다 2022년 430억불 규모 車 반도체, 2028년 840억3,000만불 성장 전망 2028년 100억불 xEV 파워 반도체 디바이스, SiC MOSFET 56억불 차지  GaN, 파워..

2024.02.01by 성유창 기자

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ST, 신규 200W/500W MasterGaN 출시

▲차세대 통합 갈륨 나이트라이드(GaN) 브리지 디바이스 MasterGaN1L·MasterGaN4L 출시(이미지:ST) 차세대 통합 GaN 브리지 디바이스 제품군 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 S..

2024.01.15by 권신혁 기자

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내년 R&D 중대형 과제 중심 지원...“나눠주기·뿌려주기식 배제”

▲2023 대한민국 산업기술 R&D 대전에서 2024년 산업기술 R&D 과제기획 공청회가 진행됐다. KEIT, “산업계, 초격차 R&D에 70% 지원” “나눠주기식, 갈라치기식, 뿌려주기식 배제&..

2023.12.07by 권신혁 기자

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TI, 저전력 GaN 제품군 확장...AC/DC 전원 어댑터 크기 50%↓

▲저전력 GaN 포트폴리오 확장으로 ACDC 전원 어댑터 크기 50% 축소(사진:TI) AC/DC 크기 절반, 열 설계 간소화 가능   텍사스 인스트루먼트(TI)가 1일 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다.   ..

2023.12.01by 권신혁 기자

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디엠지모리, “반도체 첨단 가공기술 必”

▲디엠지모리코리아 오픈하우스 2023   디엠지모리코리아 오픈하우스 개최 Si·SiC 소재 적용 가능한 정밀 가공 “화합물 소재 日 선도, 韓 육성 必” 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(G..

2023.11.21by 권신혁 기자

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