ST마이크로일렉트로닉스가 GaN 전력소자의 구동 회로를 한층 단순하게 구성할 수 있는 하프브리지 게이트 드라이버 2종을 공개했다. 신제품은 모션 제어처럼 스위칭 속도와 보호 기능을 함께 따져야 하는 용도를 겨냥했으며, 외부 부품 수를 줄이면서도 과전류와 저전압 등에 대응할 수 있도록 한 점이 핵심이다.

ST는 4월 14일 STDRIVEG212와 STDRIVEG612를 발표했다. 두 제품은 각각 최대 220V, 600V 하이사이드 전압에서 동작하는 강화형 GaN HEMT용 드라이버로, 모션 제어와 하드 스위칭 응용을 염두에 두고 설계된 제품군이다.

두 제품의 차이는 지원 전압대에 있다. STDRIVEG212는 220V급, STDRIVEG612는 600V급 설계에 대응한다. 공통적으로 하이사이드·로우사이드 5V LDO, 부트스트랩 다이오드, 저전압 차단 기능을 집적했고, 과전류가 감지되면 두 GaN 스위치를 모두 차단하는 보호 구조를 갖췄다.

보호 기능은 차단에서 끝나지 않는다. Smart Shutdown 기능은 스위치가 충분히 냉각될 때까지 차단 상태를 유지하도록 설계됐고, 결함 핀을 통해 과전류·과열·저전압 차단 상태를 외부에 알릴 수 있다. 하이사이드와 로우사이드 간 전파 지연은 50ns 수준으로 맞췄고, 하이사이드 스타트업 시간은 5µs로 제시됐다. 여기에 ±200V/ns의 dV/dt 과도응답 내성을 더해 빠른 스위칭 환경에서의 안정성을 겨냥했다.

설계 측면에서는 턴온·턴오프 임피던스를 구분해 제어할 수 있도록 해 별도의 턴오프 다이오드 없이 dV/dt와 dI/dt를 조정할 수 있게 했다. 이는 부품원가를 줄이고 게이트 루프 인덕턴스를 낮추는 방향의 접근이다. 두 제품은 20V 허용 로직 입력과 전용 셧다운 핀도 갖췄다.

STDRIVEG212와 STDRIVEG612는 현재 생산 중이며, 산업용 등급으로 -40도에서 125도까지 동작한다. 패키지는 4mm×5mm QFN이며, 1000개 구매 기준 가격은 1.25달러부터다. 두 제품에 공통으로 사용할 수 있는 EVLSTDRIVEG212 평가보드도 함께 공급되고 있다.