로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.

이번 제품은 로옴이 차량용 전동 시스템과 AI 서버, 데이터센터 전원 등 대전력 응용처를 겨냥해 개발한 전력 반도체다. 소자 구조 개선과 제조 공정 최적화를 통해 고온 환경에서의 특성 개선을 목표로 했으며, 향후 베어칩과 디스크리트, 모듈 형태로 순차 제공될 예정이다.

로옴은 제5세대 SiC MOSFET가 접합 온도(Tj) 175℃ 조건에서의 ON 저항을 기존 제4세대 제품 대비 약 30% 줄였다고 밝혔다. 이는 동일한 내압과 칩 사이즈의 제품을 기준으로 한 비교 결과다.

회사는 이러한 특성이 고온 환경에서 사용되는 xEV용 트랙션 인버터 등에서 유닛 소형화와 출력 향상에 기여할 수 있다고 전했다. 다만 구체적인 시스템 단위의 성능 수치나 효율 개선 폭에 대해서는 언급하지 않았다.

제5세대 SiC MOSFET는 2025년부터 베어칩 샘플 제공을 시작했으며, 2026년 3월을 기준으로 개발이 완료됐다. 로옴은 2026년 7월부터 해당 소자를 적용한 디스크리트 및 모듈 제품의 샘플 제공도 개시할 계획이라고 밝혔다.

아울러 회사는 내압과 패키지별 라인업을 확대하고 설계 툴을 함께 제공해 애플리케이션 설계 지원을 강화하겠다고 설명했다. 이는 차량용과 산업용 전원 설계 시 적용 범위를 넓히기 위한 조치라는 설명이다.

로옴은 생성 AI 확산과 대규모 데이터 처리 증가로 인해 고성능 서버와 데이터센터의 전력 밀도가 높아지고 있다고 밝혔다. 이로 인해 에너지 변환 과정에서의 손실 저감이 주요 과제로 부각되고 있으며, SiC 전력 반도체 채택이 확대되는 추세라는 설명이다.

회사 측은 제5세대 SiC MOSFET의 주요 적용처로 △xEV용 트랙션 인버터 △차량용 충전기(OBC) △DC-DC 컨버터 △AI 서버 및 데이터센터 전원 △태양광(PV) 인버터 △에너지저장장치(ESS) △무정전전원장치(UPS) 등을 제시했다.