로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 고전압 직류 기반 전원 구조로 이동하는 AI 서버 시장에서 SiC 전력반도체가 백업 전원부의 핵심 소자로 적용된 사례다.

로옴은 최근 자사의 SiC MOSFET ‘SCT4013DLL’이 AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 탑재됐다고 밝혔다. 생성형 AI 확산 이후 GPU 성능 경쟁이 이어지면서 서버 전력 수요가 증가했고, 데이터센터 업계에서는 전력 손실을 줄이기 위한 HVDC 기반 전원 구조 도입이 검토되고 있다.

BBU는 정전이나 순간 전압 저하가 발생했을 때 서버랙 단위로 전력을 보상하는 장치다. AI 서버처럼 처리 데이터 규모가 크고 전력 사용량이 높은 시스템에서는 이상 발생 시 전원을 빠르게 유지·제어하는 기능이 중요하다. 이에 따라 고전압·대전류 환경에서도 손실을 줄이고 안정적으로 동작하는 전력반도체의 필요성이 커지고 있다.

이번에 적용된 SCT4013DLL은 750V 내압을 갖춘 SiC MOSFET이다. 로옴에 따르면 이 제품은 최대 접합 온도 175℃를 지원해 고전력 밀도와 고전압화로 발열 부담이 커지는 BBU 환경에서도 안정적인 동작을 목표로 설계됐다.

차세대 800VDC 전력 공급 구조에서는 BBU 내부 배터리팩에 공급되는 전압이 약 560V 수준으로 제시되고 있다. 로옴은 이 같은 전압 조건에서 750V급 SiC MOSFET이 적용 가능하다고 설명했다.

SiC 전력반도체는 실리콘 기반 소자보다 고전압·고온 환경에 유리해 전기차, 산업기기, 에너지 저장장치에 이어 데이터센터 전원 분야에서도 적용 범위가 넓어지고 있다. AI 서버 전원 구조가 고전압화될수록 전력 변환 효율과 열 관리 성능은 전원 시스템 설계의 주요 변수로 부상할 전망이다.

로옴은 향후 AI 서버와 데이터센터 시장을 겨냥해 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스 개발과 공급을 확대할 계획이다. 또 아날로그 IC를 결합한 전원 솔루션 제안을 통해 고효율 전원 시스템 수요에 대응한다는 방침이다.