| 5세대 V낸드 기반 eUFS 3.0 공급 시작 
| eUFS 2.1 대비 2배 빠른 연속읽기 속도
| 5세대 512Gb V낸드 8단으로 적층해

삼성전자가 차세대 모바일 메모리 ‘512GB eUFS 3.0(embedded Universal Flash Storage 3.0)’을 양산하며 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장 선점에 나섰다고 27일 밝혔다.
eUFS 3.0 제품은 기존 eUFS 2.1 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 

이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송 시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 

삼성전자는 NVMe SSD 수준의 성능을 가진 이 제품을 통해 소비자들이 초고해상도의 차세대 모바일 기기에서도 울트라 슬림 노트북 수준의 성능을 체감할 수 있게 됐다고 설명했다. 

삼성전자는 이번 제품에 5세대 512Gb V낸드를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이 같은 성능을 구현했다. 

또한 연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높였고, 임의 읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 빠른 63000·68000 IOPS(Input/Output Operations Per Second)를 구현했다. 

특히 임의읽기·쓰기 속도는 마이크로SD 카드(100 IOPS)보다 630배 이상 향상돼 대화면의 초고해상도 디스플레이에서 다양하고 복잡한 작업을 동시에 실행하더라도 빠르고 원활하게 처리할 수 있다. 

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최철 부사장은 “eUFS 3.0 제품을 본격 양산함으로써 소비자들이 모바일 기기에서도 최고급 노트북 수준의 사용 편의성과 만족감을 체감할 수 있게 되었다”며 “올해 1TB까지 라인업을 늘려 글로벌 모바일 제조사들이 프리미엄 시장에서 새로운 성장 분야로 도약하는 데 기여해 나갈 것”이라고 말했다. 

삼성전자는 2월 512GB, 128GB eUFS 3.0 제품 공급을 시작으로 하반기에는 1TB, 256GB 용량도 제공해 글로벌 IT 고객들의 선택의 폭을 넓히고, 차세대 모바일 기기를 적기에 출시할 수 있도록 적극 지원할 계획이다. 

삼성전자는 2015년 기존 ‘eMMC(embedded MultiMediaCard)’ 대비 1.4배 이상 빠른 모바일 내장 메모리 ‘eUFS 2.0’을 양산하며 UFS 시장을 창출했으며, 2017년 eUFS 2.1에 이어 올해 eUFS 3.0 시대를 열었다.