| 기존 HBM2 대비 처리 속도 50% 높여
| 1,024개 I/O로 초당 460GByte 데이터 처리
| 16Gb 칩 8개 TSV로 수직 연결해 16GB 구현

DDR4보다 빠른 HBM2보다 빠른 D램이 출시된다.

SK하이닉스가 HBM2E D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 HBM(High Bandwidth Memory) D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

몇 년 전까지만 하더라도 메모리 대역폭과 시스템 요구사항은 비례적으로 증가했다.

그러나 최근에는 AI, IoT, 블록체인, RADAR, 5G, 8K 비디오 등의 발달로 산업전반에서 요구하는 메모리 처리량이 급증했다. 반면, 메모리 대역폭의 증가는 이를 따라가지 못하고 있다.

현재 가장 많이 쓰이는 DDR SD램의 대역폭은 지난 20년간 세대가 올라 갈 때마다 2배씩 증가했지만, DDR5 SD램의 상용화는 2019년인 지금도 요원하다. 거기다 대역폭 2배 증가로는 최근의 추세를 따라가기 어려워 보인다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 I/O를 통해 초당 460기가바이트(GByte)의 데이터 처리가 가능하다.

이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차 산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다.

HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십 마이크로미터(㎛) 간격 수준으로 가까이 장착한다. SK하이닉스는 2013년에 AMD와 함께 1세대 HBM 제품을 발표했으며, 2016년에는 삼성전자와 함께 HBM2을 개발한 바 있다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “SK하이닉스는 HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 말했다.