SK하이닉스, 16Gbit DDR4 D램 개발
LPDDR5, HBM3로 1z 미세공정 확대 적용


SK하이닉스는 21일, 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 발표했다.

2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(Extreme Ultraviolet) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 높였다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 높였다. 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.

D램은 정전용량이 크면 데이터의 유지시간과 정합도가 상승한다. 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 정전용량(Capacitance)을 높였다. 신규 물질이 어떤 물질인지는 밝히지 않았다.

설계 기술도 새로 도입해 동작 안정성도 높였다.

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 고성능/고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.