SiC MOSFET 제품군으로 WBG 디바이스 범위 확장
EV용 온보드 충전 및 UPS· 서버 공급 장치 등 포함

온세미컨덕터가 두 개의 실리콘 카바이드(Sic) MOSFET 제품군을 출시하며 와이드밴드갭(WBG) 디바이스 범위를 확장했다.

이번 제품은 태양광 발전 인버터, 전기자동차(EV)를 위한 온 보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 설계된 것으로 실리콘(Si) MOSFET으로는 불가능하던 성능을 제공한다.
신제품 1200V 및 900V N 채널 Sic MOSFET은 기존 Si보다 스위칭 속도와 신뢰성을 개선했다. 역회복 전하가 작은 고속의 내장 다이오드는 전력 손실을 줄이고 동작 주파수를 높여 전체 솔루션의 전력 밀도를 높였다.

칩 크기가 작을수록 소자 커패시턴스가 낮아지고 게이트 전하 Qg가 220nC 정도로 작아져 고주파수 동작이 더욱 향상돼 고주파수에서 동작할 때 스위칭 손실이 줄어든다. Si 기반 MOSFET과 비교 시 EMI는 더욱 감소되며 더 적고 작은 패시브 구성품을 사용할 수 있다.

SiC MOSFET은 Si 디바이스와 비교했을 때 서지 능력은 향상되고 아발란치 성능과 쇼트 서킷 견고성은 개선되며 까다로운 최신 전력 애플리케이션에 필수적인 높은 신뢰성과 긴 수명을 보장한다.

낮은 순방향 전압은 임계값이 없는 온(on) 상태 특성을 제공해 디바이스가 전도 중일 때 발생하는 정적 손실을 줄여준다.

1200V 디바이스의 정격 최대 전류는 130A(IP 최대)이며 900V 디바이스는 최대 118A다. 더 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션의 경우 양의 온도 계수 및 독립성으로 인해 온세미컨덕터 MOSFET은 쉽게 병렬로 동작시킬 수 있다.

온세미컨덕터의 WBG MOSFET은 저손실, 더 높은 동작 온도, 더 빠른 스위칭 EMI 개선 및 향상된 신뢰성을 제공해 Si 디바이스보다 훨씬 뛰어난 성능을 보여준다.

온세미컨덕터의 SiC MOSFET 모두에는 납이나 할로겐이 들어가 있지 않으며 자동차 애플리케이션용 디바이스는 AEC Q100 인증과 PPAP를 지원하는 한편 업계 표준인 TO 247 또는 D2PAK 패키지로 제공된다.