SIC118xKQ SCALE iDriver 스위칭 손실은 줄이고 인버터 효율은 극대화

파워 인테그레이션스(POWI)의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET용 고효율 단일 채널 게이트 드라이버 SIC118xKQ SCALE iDriver가 AEC-Q100 자동차 인증을 획득했다.
SIC1182KQ(1200V) 및 SIC1181KQ(750V) SCALE-iDriver 디바이스는 자동차 애플리케이션에서 SiC MOSFET을 구동하고 ▲rail to rail 출력 ▲빠른 게이트 스위칭 속도 ▲플러스 및 마이너스 출력 전압을 지원하는 유니폴라 공급전압 ▲전원 및 전압 통합 관리 ▲강화된 절연 제공 등에 최적화됐다.

또한 드레인 소스 전압(VDS) 모니터링, SENSE 판독, 1·2차측 저전압 록아웃(UVLO), 전류가 제한된 게이트 드라이브, 고장 조건에서의 안전한 작동 등을 보장하며 소프트 턴오프를 가능케 하는 고급 액티브 클램핑(AAC)과 같은 안전 기능을 갖췄다.

VDS 모니터링과 결합된 AAC는 회로 단락 조건에서 2μs 미만의 안전한 턴오프를 보장할 뿐만 아니라 게이트 드라이브 제어 및 AAC 기능을 통해 게이트 저항을 최소화할 수 있어 스위칭 손실은 줄이고 인버터 효율은 극대화한다.

새로운 단일 채널 SIC118xKQ 게이트 드라이버는 +15V의 표준 게이트 이미터 전압과 -3V ~ -15V 범위의 다양한 마이너스 전압으로 최대 8A를 제공하며 SiC MOSFET에 적합하다.

높은 외부 자기장 내성을 보유해 최고 CTI 레벨(IEC 60112에 따라 CTI=600)을 갖춘 재료를 사용해 9.5mm 이상의 연면 거리와 공간 거리를 제공하는 소형 eSOP 패키지로 제공된다.

Michael Hornkamp 파워 인테그레이션스 수석 이사는 “실리콘 카바이드 MOSFET 기술은 더 작고 가벼운 자동차 인버터 시스템의 가능성을 여는데 기여했다”며 “스위칭 속도와 작동 주파수가 증가하는 최근 경향에 고려해 우리 제품들은 낮은 게이트 저항값은 스위칭 효율을 유지하고 고장 발생 시에는 빠른 회로 단락 응답을 통해 시스템을 신속하게 보호한다”고 말했다.

이어 “SCALW iDriver는 기능 안전을 위한 절연 안정성의 새로운 기준을 제시한다”며 “전력 장치로 인해 치명적인 드라이버 고장이 발생하더라도 SCALE iDriver의 절연은 그대로 유지돼 섀시의 어느 부분도 생명을 위협할 만큼 높은 전압을 전달하지 않는다”고 덧붙였다.