ACM 리서치가 반도체 건식 공정 애플리케이션을 위한 울트라 퍼니스를 공개했다. 울트라 퍼니스는 저기압 화학 기상 증착 공정에 최적화됐다. 몇몇 구성 요소와 레이아웃만 변경하면 산화 공정, 열처리 공정을 비롯하여 원자층 증착 공정에도 적용할 수 있다.
ACM 울트라 퍼니스, LPCVD 공정에 최적화
산화·열처리·원자층 증착 공정에도 사용 가능
ACM 리서치는 11일, 반도체 건식 공정 애플리케이션을 위한 ‘울트라 퍼니스(Ultra Furnace)’를 공개했다.
▲ 울트라 퍼니스 [사진=ACM 리서치]
울트라 퍼니스는 저기압 화학 기상 증착(Low-pressure chemical vapor deposition; LPCVD) 공정에 최적화됐다. 몇몇 구성 요소와 레이아웃만 변경하면 산화(Oxidation) 공정, 열처리(Annealing) 공정을 비롯하여 원자층 증착(Atomic layer deposition; ALD) 공정에도 적용할 수 있다.
화학 기상 증착은 높은 온도에서 공정 가스들이 서로 반응하여 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 산화막 또는 질화막층을 형성하는 공정이다. 울트라 퍼니스는 최대 100장의 12인치(300mm) 웨이퍼 배치 공정이 가능하도록 설계됐다.
ACM은 우선 중국 내 고객을 대상으로 울트라 퍼니스를 공급하고, 이후 한국과 대만으로 확대할 계획이다. ACM은 올해 초 중국 주요 로직 제조업체의 팹에 첫 번째 울트라 퍼니스 장비를 공급한 바 있다.