로옴이 초소형 MOSFET인 RV8C010UN, RV8L002SN, BSS84X를 개발했다고 밝혔다. 신제품은 Wettable Flank 형성 기술을 도입해 패키지 측면의 전극 부분 높이 125μm를 보증한다. QFN 및 DFN 등의 하면전극 패키지에서 리드 프레임의 측면에 도금 가공을 하는 이 기술은 솔더링 특성을 향상시킨다.
방열성, 실장 신뢰성 향상한 MOSFET
고밀도화 가속되는 자동차 ECU에 최적
로옴은 6일 초소형 MOSFET 'RV8C010UN', 'RV8L002SN', 'BSS84X'를 개발했다고 밝혔다.
신제품은 Wettable Flank 형성 기술을 도입해 패키지 측면의 전극 부분 높이 125μm를 보증한다. QFN 및 DFN 등의 하면전극 패키지에서 리드 프레임의 측면에 도금 가공을 하는 이 기술은 솔더링 특성을 향상시킨다.
▲ 고방열성 및 소형 패키지 실현 [그림=로옴]
1.0mm×1.0mm 사이즈로 제작된 제품은 2.9mm×2.4mm 사이즈(SOT-23 패키지)와 동등한 성능을 보여주고 고품질이 요구되는 자동차 관련 기기에서 중요시되는, 부품 실장 후의 자동 광학 검사(이하, AOI)에서 매우 높은 솔더 실장 신뢰성을 보여준다.
약 85%의 실장 면적이 삭감이 되었지만 방열성은 SOT-23 패키지 대비 65% 향상 가능하다. 따라서 소형화와 고방열화를 동시에 실현함으로써, 기능의 증가에 따른 기판의 고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 ADAS 관련 기기 등의 어플리케이션에 최적이다. 또한 새로운 하면전극 패키지를 사용해 소형화와 고방열화를 동시에 보여준다.