인피니언의 SOI 기술을 기반으로 한 레벨 시프트 게이트 드라이버 6ED2230는 높은 네거티브 VS 과도 전압 내성 및 래치업 내성과 빠른 과전류 보호를 제공하며, 부트스트랩 다이오드를 모놀리식 방식으로 통합했다. 따라서 산업용 드라이브 및 임베디드 인버터 애플리케이션에 적합하다.
레벨 시프트 게이트 드라이버 6ED2230
산업용 드라이브 및 임베디드 인버터에 적합
350mA/650mA 소스 및 싱크 드라이브 기능
인피니언 테크놀로지스는 3일, 1200V 3상 게이트 드라이버를 출시하면서 레벨 시프트 EiceDRIVER™ 포트폴리오를 확대한다고 밝혔다.
▲ 6ED2230 레벨 시프트 게이트 드라이버 [이미지=인피니언]
인피니언의 SOI(silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 한 레벨 시프트 게이트 드라이버 6ED2230는 높은 네거티브 VS 과도 전압 내성 및 래치업 내성과 빠른 과전류 보호를 제공하며, 부트스트랩 다이오드를 모놀리식 방식으로 통합했다. 따라서 산업용 드라이브 및 임베디드 인버터 애플리케이션에 적합하다.
레벨 시프트 게이트 드라이버 6ED2230은 350mA/650mA 소스 및 싱크 드라이브 기능을 제공한다. 통합된 데드 타임 기능은 슛쓰루(Shoot-through)를 방지하며, 과전류 보호 비교기는 ±5% 레퍼런스 임곗값 정확도로 빠르게 반복할 수 있고 신뢰할 수 있는 스위치 보호를 제공한다. 내장된 부트스트랩 다이오드는 40Ω의 정격 저항으로 빠른 역 회복을 제공한다.
반복하는 700ns 와이드 펄스의 -100V 네거티브 VS 과도 전압 내성은 뛰어난 견고성과 신뢰할 수 있는 동작을 지원한다. 로우/하이사이드 전압 전원은 안전한 동작을 위한 독립적인 저전압 록아웃(UVLO)을 제공한다. 고유의 DSO-24 풋프린트는 패키지 반대편에 저전압과 고전압을 분리하므로 공간거리와 연면거리를 더욱 늘린다.
EiceDRIVER 6ED2230은 DSO-24 300 mil 패키지로 제공된다. DSO-28 크기의 이 패키지는 적은 핀 수로 HBM(human-body model)에 따라 2kV의 ESD 정격을 제공한다.