유나이티드SiC 750V 지원 4세대 SiC FET 4종,
하드 스위칭 시 턴 온/오프 손실 저감하고
소프트 스위칭 시 낮은 전도 손실 제공


유나이티드SiC는 8일, 4세대 실리콘카바이드(SiC) FET 기술 플랫폼을 기반으로 하는 750V SiC FET 4종을 출시했다고 밝혔다.

18mΩ 및 60mΩ 옵션으로 이용이 가능한 SiC FET 신제품 4종은 단위 면적당 온저항 감소와 낮은 고유 커패시턴스(intrinsic capacitance)로 높은 FoM(Figure of merit)을 제공한다.

하드 스위칭 애플리케이션에서 4세대 FET는 가장 낮은 RDS(on) × EOSS(mΩ-uJ)를 나타내어 턴 온/오프 손실을 낮춘다. 소프트 스위칭 애플리케이션에서 낮은 RDS(on) × Coss(tr) (mΩ-nF) 사양은 낮은 전도 손실과 높은 주파수를 제공한다.

신제품 4종은 저온(25°C) 또는 고온(125°C) 동작 모두에서 경쟁 SiC MOSFET보다 높은 성능으로 동작하며, 낮은 데드 타임 손실과 향상된 효율성을 제공하는 역 회복 기능을 갖춘 최저 통합 다이오드 VF를 제공한다.

750V를 지원하는 신제품은 더 많은 설계 헤드룸을 제공하고 설계 제약을 줄인다. VDS 정격도 높아 400/500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. ±20V, 5V Vth의 널리 호환되는 게이트 드라이브로 모든 장치를 0~12V 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 기존 SiC MOSFET, Si IGBT 및 Si MOSFET 게이트 드라이버와 연동할 수 있다.

아눕 발라(Anup Bhalla) 유나이티드SiC 엔지니어링 부사장은 “이번에 발표한 4종의 제품들은 DC/DC 컨버터, 온보드 충전기에서 역률 보정 및 태양광 인버터에 이르기까지 전압과 전력의 수요가 높은 분야에서 작업하는 엔지니어들이 직면한 문제를 해결하는 데 도움을 줄 수 있다”라고 밝혔다.

TO247-3L 패키지로 제공되며, 25°C 환경에서 RDS(on)이 18mΩ인 △UJ4C075018K3S, △UJ4C075018K4S와 온저항이 60mΩ인 △UJ4C075060K3S, △UJ4C075060K4S는 현재 공식 대리점을 통해 구매할 수 있다.