온세미, 650V SiC MOSFET 제품군 공개
자동차 신뢰성 표준인 'AEC-Q101' 준수
박형 웨이퍼 기반 활성 셀 설계법 채택


온세미컨덕터는 18일, 새로운 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 공개했다. 기존 실리콘(Si) 제품을 대체하는 신제품은 전기차 온보드 충전기(OBC), 서버 전원 공급 장치(PSU), 무정전 전원 장치(UPS), 태양광 인버터, 통신 등의 애플리케이션에 적합하다.

자동차 신뢰성 표준인 AEC-Q101을 준수하는 신규 제품군은 Si보다 우수한 스위칭 성능과 열특성을 제공하는 와이드밴드갭(WBG) 소재가 기반으로, 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상하며, 전자파(EMI)를 낮추고, 시스템 전체 크기와 중량을 줄일 수 있게 한다.

신규 제품군은 650V 내압에서 높은 영역 저항(RDS(on) × 면적 = Rsp)을 구현하는 첨단 박형 웨이퍼 기술 기반의 활성 셀 설계법을 채택했다. 각각 D2PAK-7L, TO247-4L 패키지로 제공되는 △NTBG015N065SC1, NVBG015N065SC1, △NTH4L015N065SC1, NVH4L015N065SC1 제품의 RDS(on)은 12밀리옴(mΩ)에 불과하다.

내부 게이트 저항(Rg)을 이용하면 외부 게이트 저항을 추가해 인위적으로 제품의 속도를 낮출 필요가 없어 설계 유연성이 높다. 또한, 높은 서지와 아발란치를 견디는 동시에 쇼트 서킷 견고성을 제공하여 내구성과 신뢰성을 높였기에, 애플리케이션 수명을 늘릴 수 있다.