정부가 실리콘 대비 전력 효율, 내구성이 뛰어난 △실리콘카바이드(SiC) △질화갈륨(GaN) △갈륨옥사이드(Ga2O3) 3대 신소재 반도체 개발에 본격 박차를 가하며, 반도체 소자, 모듈, 시스템 연계 통합 밸류체인 강화에 나선다.
▲제7차 혁신성장 BIG3 추진회의 전경
SiC·GaN·Ga2O3 등 3대 신소재 반도체 개발
반도체 소자·모듈·시스템 연계 밸류체인 강화
정부가 실리콘 대비 전력 효율, 내구성이 뛰어난 3대 신소재 반도체 개발에 본격 박차를 가한다.
정부는 4월1일 제7차 혁신성장 BIG3 추진회의를 개최하고, 차세대 전력 반도체를 집중 육성하기 위한 ‘차세대 전력 반도체 기술개발 및 생산역량 확충 방안’을 발표했다.
‘차세대 전력 반도체’란 실리콘(Si) 대비 전력 효율과 내구성이 뛰어난 △실리콘카바이드(SiC) △질화갈륨(GaN) △갈륨옥사이드(Ga2O3) 등 3대 신소재 웨이퍼로 제작된 전력 반도체로서 전자기기의 수요 확대 및 전력 소비 증가에 따라 미래 성장 가능성이 높은 반도체다.
정부는 우선 상용화 제품 개발을 위해 수요연계 및 시제품 제작 지원에 나선다.
단기에 상용화 가능한 분야를 중심으로 소자-모듈-시스템이 연계된 R&D 과제를 기획해 상용화를 촉진하고, 수요-공급 연계 온라인 플랫폼과 융합얼라이언스 등을 활용해 상용화 성과를 확대한다.
아울러, 국내 유일의 6인치 SiC 반도체 시제품 제작 기반인 ‘파워반도체 상용화 센터’를 활용해 시제품 제작 서비스를 제공하고, 민간 파운드리의 인프라 투자를 적극 지원할 계획이다.
다음으로 신소재 응용 및 반도체 설계·검증 등 기반기술을 강화한다.
실리콘 소재의 한계를 극복하기 위해 SiC, GaN, Ga2O3 등 화합물 기반 신소재 응용기술을 개발하고, 국내 기업의 소재·웨이퍼 기술 확보를 지원해 밸류체인을 견고화한다.
이와 함께 고집적·고성능 차세대 전력 반도체 개발을 위해 파워 IC 설계 기술개발을 지원하고, 설계와 제조를 연계하기 위한 공정 표준 설계 키트(PDK)도 개발해 반도체 제조 역량을 강화할 예정이다.
아직 초기인 차세대 전력 반도체 제작 공정을 최적화·고도화해 시제품 제작∼양산에 이르는 기술력을 확보하고, 신뢰성 평가를 지원하기 위한 장비를 부산 파워반도체 상용화 센터에 구축한다.
또한 차세대 전력 반도체 관련 파운드리 서비스를 확대하기 위해 국내 파운드리와 6∼8인치 기반의 양산 공정 구축 및 선행기술 확보를 적극적으로 협의·지원할 계획이다.
성윤모 산업부 장관은 “AI, 5G 등 신기술의 구현과 및 자율차, 신재생 등 미래 성장 분야의 활성화를 위해서는 전력의 효율적인 관리가 필수이며, 차세대 전력 반도체는 이를 위한 핵심 부품”이라며 “정부는 아직 초기인 차세대 전력 반도체 시장을 선점하고 미래 경쟁력을 확보할 수 있도록 R&D, 인프라 등을 적극적으로 지원할 계획이며, 민·관의 공동 노력과 밸류체인간의 연대·협력을 바탕으로 견고한 산업 생태계를 구축해 나가겠다”고 밝혔다.