인피니언 CoolMOS S7 10mΩ은 600V 수퍼정션 MOSFET으로, 온저항이 낮아 솔리드 스테이트 릴레이처럼 전도 손실 최소화가 요구되는 애플리케이션에 적합하다. CoolMOS S7A는 고전압 e퓨즈 및 e디스커넥트 배터리 차단 스위치, 온보드 충전기 같은 자동차 애플리케이션의 고전력 고성능 설계를 위한 솔리드 스테이트 회로 차단기 및 다이오드 병렬화와 교체 요구사항을 충족한다.
인피니언, CoolMOS S7 10mΩ, SSR 적합
CoolMOS S7A, 고전력 고성능 전장 충족
TSC QDPAK SMD 패키지로 전도 손실 줄여
인피니언 테크놀로지스는 20일, 정적 스위칭 애플리케이션에 적합한 산업용 600V ‘CoolMOS™ S7 10mΩ’ 제품과 차량용 ‘CoolMOS S7A’ 제품을 출시했다.
▲ QDPAK 600V CoolMOS™ S7 [사진=인피니언]
CoolMOS S7 10mΩ은 600V 수퍼정션 MOSFET으로, 온저항(RDS(on))이 낮아 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)처럼 전도 손실 최소화가 요구되는 애플리케이션에 적합하다. CoolMOS S7A는 고전압 e퓨즈 및 e디스커넥트 배터리 차단 스위치, 온보드 충전기 같은 자동차 애플리케이션의 고전력 고성능 설계를 위한 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB) 및 다이오드 병렬화와 교체 요구사항을 충족한다.
두 제품은 상단 냉각(TSC) QDPAK SMD 패키지를 채택해 TO-247 같은 THD 제품보다 작다. THD에서 QDPAK 표면실장 제품으로 전환하면 높이를 94% 낮출 수 있어 전력 밀도를 높일 수 있다. 또한, 전도 손실이 낮아 설계자는 방열판 크기를 80% 축소하고, 폼 팩터 변경 없이도 전류와 전압의 정격을 높일 수 있다.
CoolMOS S7 10mΩ 및 S7A 제품은 현재 주문할 수 있다.