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기사입력 2021.05.18 08:50
기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘카바이드(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 소재 기반의 와이드밴드갭(WBG) 반도체의 활용빈도가 증가하고 있다. 최근 온세미컨덕터는 650V SiC MOSFET를 출시하며 자사의 WBG 디바이스 제품군을 확대했고, 이를 통해 이전에는 서비스가 부족했던 전력 대역에서 보다 향상된 효율성을 제공하고 있다.
2021-03-13 오후 3:45:09by 이수민 기자
전 세계적인 디지털 및 친환경 정책의 가속으로 Si 대비 전력 효율과 내구성이 높은 SiC, GaN 등 화합물 기반 전력 반도체 시장이 새롭게 떠오르고 있다. SiC 반도체는 Si 반도체 대비 10배 높은 전압 내구성, 30% 작은 전력 손실 특성으로 전기차, 태양광 인버터 등에 적합하며, GaN 반도체는 스위칭 속도가 빨라 소형화에 용이하여 고속 무선 충전, 무선 통신 등에 활용이 기대된다.
2021-04-26 오후 4:27:15by 이수민 기자
이형석 한국전자통신연구원 책임연구원은 전기차용 GaN(질화갈륨) 전력반도체 연구개발 동향 발표에서 초고효율 및 초소형 전력반도체 시장에서 향후 GaN 전력반도체가 시장 확대를 이끌 것이라고 밝혔다.
2021-05-03 오후 4:11:35by 배종인 기자
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