M6 MRH25N12U3 방사선 내성 강화 MOSFET
극한 우주 환경 견디며 전력 회로 신뢰성 높여


우주 애플리케이션의 전원 공급장치는 극심한 입자 상호 작용과 태양 및 전자기 활동을 극복하기 위해 강화된 방사선 기술이 필요하다. 마이크로칩은 9일, 상용 항공우주 및 우주 방위 애플리케이션용 인증을 획득한 250V, 0.21Ω의 온저항을 갖춘 방사선 내성 강화 MOSFET, ‘M6 MRH25N12U3’를 출시했다.

M6 MRH25N12U3 MOSFET은 POL(point-of-load) 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 제어, 범용 스위칭 등이 가능하다. 가혹한 우주 환경을 견디고, 전력 회로의 신뢰성을 확장하며, 향상된 성능으로 MIL-PRF19500/746의 모든 요건을 충족한다. 또한, 미군 공급망 조달 조건인 국방물류청(DLA) 심사 및 자격 테스트를 완료했다. JANSR2N7593U3 인증은 이달 내 획득 예정이다.

해당 디바이스는 미래 위성 시스템 디자인을 위해 설계됐고, 기존 시스템의 대체재 역할도 겸한다. 100krad(킬로래드) 및 300krad의 총이온화선량(TID)을 견디며, 87MeV/mg/cm2의 선형에너지전이(LET)로 단일 이벤트 효과(SEU)도 견딜 수 있다. 검증 테스트를 통해 100%의 웨이퍼 로트 방사선 강도도 보장한다.