ACM 리서치 ‘베벨 에치’ 식각 장비 3분기 출시
웨이퍼 수율 향상 및 화학 물질 사용 저감 위해
에지 식각 및 세정 기능을 단일 장비에서 제공


IC 제조 공정 중 3D NAND, DRAM, 고급 로직 공정에서 웨이퍼 에지 박리(wafer edge peeling), 파티클(particle), 잔여물로 인해 웨이퍼 에지 수율 저하가 발생하고 있다. 이를 해결하기 위해 전체 공정 수율 제고 필요성이 커지고 있다.

ACM 리서치는 26일, ‘베벨 에치(Bevel Etch)’ 식각 장비를 출시했다. 새로운 장비는 습식 식각 방식을 사용해 웨이퍼 에지의 다양한 유전체, 금속 및 유기 물질 막질과 미립자 오염 물질을 제거한다. 이를 통해 에지 부분의 오염이 후속 공정 단계에 미치는 영향을 최소화하고, 칩 제조 시 수율을 개선한다.

데이비드 왕(David Wang) ACM 리서치 CEO는 “베벨 에치는 기존 건식 장비보다 성능이 높고, 화학 물질 사용량이 적다”라며, “정확하고 효율적인 웨이퍼 중앙 정렬이 가능해 정밀한 에지 식각과 수율 향상을 기대할 수 있다”라고 강조했다. 

그간 반도체 제조사는 에지 막질 및 오염 물질 제거를 위해 건식 베벨 식각 공정을 사용했다. 습식 방식은 건식에서 발생할 수 있는 아크 방전과 실리콘 손상 위험을 방지한다. 1~7mm 가변 웨이퍼 에지 필름 식각·절단 정확도, 양호한 균일도 및 제어 가능한 식각, 그리고 화학 물질 사용량 감소로 비용 절감에 기여한다.

첫 베벨 에치 장비 양산분은 3분기 중 중국 로직 제조사에 납품될 예정이다.