“올해 이어 내년에 생산할 HBM도 대부분 솔드아웃(Sold-out)”

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주/용인/미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

곽노정 사장은 “현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”며 “HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라고 밝혔다.

이어 김주선 사장(AI Infra 담당)은 차세대 제품 개발에 관해 HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다고 전했다.

최우진 부사장(P&T 담당)은 “당사가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술”이라며 “MR-MUF 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않으며, 우리는 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다”고 밝혔다.

여기에 “회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다”고 언급했다.

또한 미국 투자와 관련해서는 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했고, 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이라고 전했다.

김영식 부사장(제조기술 담당)은 청주 M15x와 관련해 연면적 6만3,000평 규모의 복층 팹에 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며, 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.

또한 용인 클러스터와 관련해서는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 첫 팹은 2025년 3월 공사에 착수해, 2027년 5월 준공할 예정이라고 언급했다.