키오시아(Kioxia Corporation)가 산화물 반도체를 이용한 DRAM을 개발하며, AI, 5G, IoT 등 다양한 애플리케이션에서 전력 소비를 낮출 것으로 기대가 모아진다.


키오시아는 ‘옥트램’(OCTRAM, 산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM)을 개발했다고 발표했다.

이 기술은 2024년 12월9일 미국 캘리포니아 샌프란시스코에서 열린 IEEE 국제전자소자학회(International Electron Devices Meeting, IEDM)에서 처음 발표됐다.

옥트램은 높은 온(ON) 전류와 초저 오프(ultra-low OFF) 전류를 동시에 갖춘 산화물 반도체 트랜지스터로 구성된 새로운 타입의 4F² DRAM이다.

InGaZnO 트랜지스터의 초저 누설 특성을 활용해 저전력 DRAM을 구현할 것으로 기대된다.

난야 테크놀로지(Nanya Technology)와 키오시아가 공동으로 개발한 이 기술은 AI 및 5G 이후 통신 시스템, IoT 제품 등 다양한 애플리케이션에서 전력 소비를 낮출 수 있는 잠재력을 가지고 있다.

옥트램은 실린더형 InGaZnO 수직 트랜지스터를 셀 트랜지스터로 활용한다.

이를 통해 4F² DRAM을 사용할 수 있게 되며, 기존 실리콘 기반 6F² DRAM에 비해 메모리 밀도 면에서 상당한 장점을 제공한다.

InGaZnO 수직 트랜지스터는 소자 및 공정 최적화를 통해 15μA/셀 이상의 높은 온 전류와 1aA/셀 미만의 초저 오프 전류를 달성한다.

옥트램 구조에서는 InGaZnO 수직 트랜지스터가 고종횡비 커패시터 위에 통합된다. 이러한 배열을 통해 고급 커패시터 공정과 InGaZnO 성능 간의 상호작용을 디커플링할 수 있다.

키오시아 관계자는 “이 혁신적인 기술은 메모리 솔루션의 새로운 표준을 제시하며, 다양한 산업 분야에서의 응용 가능성을 보여준다. 앞으로의 기술 발전과 시장에서의 반응이 기대된다”고 전했다.