TI, 3x3mm 패키지의 NexFET™ 파워 블록 디바이스 출시

TI 코리아 (대표이사 김재진, www.ti.com/ww/kr) 2011년 3월 16일 – TI는 공간 절약형 3mm x 3mm SON 패키지의 새로운 NexFET 파워 블록 디바이스를 출시했다. 이 새로운 CSD86330Q3D 파워 블록 패키지는, 2개의 3x3mm QFN 패키지의 디스크리트 파워 MOSFET으로 구현하는 경쟁 솔루션 대비 절반의 크기로 15A에서 90% 이상의 효율성을 달성했다. 파워 블록은 전력 손실 및 출력 전류 성능 면에서 상당한 장점을 제공하며 서버, 데스크톱, 노트북 PC, 네트워킹 장비, 이동통신 인프라, 하이엔드 컨수머 애플리케이션, 상용 전원공급장치와 같은 애플리케이션을 지원한다. (보다 자세한 정보는 www.ti.com/powerblock-prkr 참조)

CSD86330Q3D는 어워드에서 수상한 바 있는 TI의 NexFET 파워 블록 디바이스 제품군에 포함되며, 파워 블록은 2010년 ‘일렉트로닉 프로덕트(Electronic Products)’ 매거진으로부터 올해의 제품상을 수상했다. 매년 일렉트로닉스 프로덕트의 편집부는 한해 동안 출시된 수천 개의 신제품 중에서 몇 개의 우수한 제품을 선정하고 있다. 이 디바이스는 혁신적인 설계와 대폭적인 성능 향상을 인정받아 선정되었다. CSD86330Q3D는 또한 ‘EDN’ 매거진의 ‘2010년 100대 제품(Hot 100 Product of 2010)’으로도 선정되었으며, ‘ECN’ 매거진의 ‘2010년 독자 선정 기술상(Tech Awards 2010 Reader's Choice)’을 수상했다.

CSD86330Q3D 파워 블록의 주요 기능 및 장점
• 3x3mm SON 아웃라인은 3x3mm QFN 패키지로 제공되는 2개의 디스크리트 MOSFET의 절반 크기
• 15A 조건에서 공기흐름(airflow) 없이 온도를 35°C 정도만 상승시킴으로써 효율 향상
• 높은 전력밀도를 통해 최대 10mm2까지 보드 공간 절감
• 추가 전력 손실 없이 스위칭 주파수를 2배 올릴 수 있어 경쟁솔루션 대비 출력 필터의 크기 및 비용 절감
• 노출 접지 패드를 갖춘 SON 패키지로 레이아웃을 단순화시키고 열 특성 향상