TI(Texas Instruments Incorporated)는 600V 질화갈륨(GaN) 70mΩ FET(field-effect transistor) 전력 스테이지 엔지니어링 샘플을 제공한다고 밝혔다.

이로써 TI는 공식적으로 고전압 드라이버를 통합한 GaN 솔루션을 제공하는 반도체 제조업체가 되었다. 신제품 12A LMG3410 전력 스테이지 디바이스는 TI의 아날로그 및 디지털 파워 변환 컨트롤러를 결합함으로써 기존 실리콘 FET 기반의 솔루션을 사용하는 것보다 우수한 설계를 구현할 수 있다. 절연형 고전압 산업용, 통신, 엔터프라이즈 컴퓨팅 및 재생에너지와 같은 파워 애플리케이션 설계 시 이점을 제공한다.

TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “300만 시간 이상의 신뢰성 테스트를 거친 LMG3410은 전력 설계자들에게 GaN의 신뢰성에 확신을 줄 수 있으며, 이전에 생각할 수 없었던 방식의 전력 아키텍처 및 시스템 설계의 발판이 마련 될 것이다.”라고 말하며, “TI의 널리 알려진 제조 역량과 축적된 파워 시스템 설계 전문성을 바탕으로 한 이 새로운 전력 스테이지 솔루션은 GaN 시장에서의 중요한 진전이다.”라고 덧붙였다.



LMG3410은 내장된 드라이버와 제로 리버스 리커버리 전류 구현과 같은 특성 구현을 통해, 스위칭 손실을 최대 80%까지 크게 절감할 수 있어 하드 스위칭 애플리케이션에서 신뢰할만한 성능을 제공한다. 독립형 GaN FET과 달리 사용하기 쉬운 LMG3410은 온도, 전류 및 UVLO(Under Voltage Lock Out)와 같은 보호기능이 내장되어 있는 기능형 디바이스이다.