한국전자전2010

'한 번에 3비트 정보를...' 하이닉스 반도체 3bit 셀 낸드플래시 메모리 출품

하이닉스 반도체의 기술력도 만만치 않습니다. 세계 제 1위의 메모리 반도체업체 삼성전자가 20나노 공정기술로 개발한 3-bit 셀 구조의 64Gb 낸드 플래시 메모리 칩의 생산을 시작한데 뒤이어 하이닉스 반도체도 3-bit 셀 구조의 32Gb 와 64Gb 낸드플래시 메모리 칩을 생산합니다. 3bit cell 구조의 낸드 플래시 메모리는 한 번의 클락 사이클(clock cycle) 3bit의 정보를 저장(write)할 수 있어 1 bit의 정보 단위로 이루어진 SLC(single level cell)이나 2비트 정보단위의 MLC(multi-level cell)구조보다 더 많은 정보를 저장할 수 있습니다. 3bit 낸드 플래시 칩을 생산하기 위한 제조 공정기술은 SLC나 MLC와 똑 같습니다. 다만, 이 칩에 내장된 논리회로(logic circuitry)가 이들 1비트나 2비트 셀 구조보다 조금 더 복잡합니다.

플로팅게이트(floating gate)로 이루어지는 낸드플래시 칩은 3bit의 정보를 동시에 저장하기 위해서 2의 3제곱, 즉 8단계로 나누어진 구동전압(Operating voltage) 을 이들 게이트에 가하여 정보를 쓰거나(write)하거나 제거(erase)합니다. 이 칩에 내장된 아주 작은 단위 논리 회