인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 마티아스 루드비히)는 고전류 자동차 애플리케이션을 위해 업계 최저 RDS(on) 을 제공하는 30V 전력 MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)을 출시했다. 신형 OptiMOS™-T2 30V MOSFET은 10V 게이트-소스 전압에서 드레인 전류 180A에 RDS(on) 이 0.9m에 불과한 N-채널 디바이스이다. D2PAK-7 패키지로 제공되는 IPB180N03S4L-H0은 낮은 가격으로 높은 공칭 전류와 업계 최저 RDS(on) 을 제공하여 표준 패키지의 전력 MOSFET을 필요로하는 고객들의 요구를 충족한다.

전력 MOSFET을 위한 인피니언의 강력한 2세대 트렌치 기술을 기반으로 한 OptiMOS-T2 디바이스는 고전류 자동차 모터 구동 애플리케이션, EPS (electric power steering), 특히 start/stop 기능에 이상적이다.

비용과 효율성 측면에서 업계는 트렌치 기술로 전환하는 움직임을 보이고 있다. OptiMOS-T2 같은 전력 MOSFET 트렌치 기술은 이전 기술 대비 RDS(on) 과 게이트 전하를 크게 향상시킨다. 따라서 업계 최저의 FoM (figure of merit, 게이트 전하와 RDS(on) 의 곱)을 달성한다. 뿐만 아니라 인피니언의 혁신적인 고전류 "Power-bond" 기술은 MOSFET에 있어서 와이어본드의 한계점들을 해결함으로써 와이어본드의 RDS(on) 드롭을 감소시키고 전류 용량을 증가시킨다. 이는 와이어본드를 시원하게 유지함으로써 신뢰성을 향상시킨다. 최신의 Powerbond 기술은 단일 MOSFET에서 최대 4개의 더블 스티치 (double-stitch) 500m 와이어본드를 가능하게 하여 표준 패키지로 180A 전류 정격을 허용한다.

OptiMOS-T2 기술과 견고한 패키지는 MSL1 (Moisture Level 1)로 리플로우 솔더링 시에 260C를 견딜 수 있도록 설계되었으며 무연 도금으로 RoHS를 준수한다. IPB180N03S4L-H0 전력 MOSFET은 Automotive Electronics Council 규격 (AEC-Q101)을 완벽하게 준수한다. 인피니언의 앞선 트렌치 기술은 낮은 게이트 전하, 낮은 커패시턴스, 낮은 스위칭 손실, 뛰어난 FoM을 달성하므로 전기 모터 효율에 있어서 새로운 피크 수준을 달성하고 EMC 방사를 최소화한다. 또한 최적화된 게이트 전하로 더 작은 드라이버 출력 스테이지를 가능하게 한다.

IPB180N03S4L-H0은 다수의 MOSFET을 병렬로 작동해야 하는 고전류 애플