ADI, 짧은 전환 시간 가능한 고속 하이사이드 MOSFET 출시

기사입력 2017.07.14 10:23

스위칭과 무접점 스위치 애플리케이션에 이상적

아나로그 디바이스는 최대 60V 공급 전압까지 동작하는 고속 하이사이드 N채널 MOSFET 드라이버 신제품 LTC7003을 출시했다고 밝혔다.

이 제품의 내부 차지 펌프는 외부 N 채널 MOSFET 스위치를 완벽하게 구동하여 항상 온(ON) 상태를 유지할 수 있도록 한다. 1Ω 게이트 드라이버는 게이트 커패시턴스가 큰 MOSFET을 매우 짧은 전환 시간과 35ns의 전파 지연 내에 손쉽게 구동할 수 있어 고주파 스위칭과 무접점 스위치(static switch) 애플리케이션 모두에 이상적이다.

LTC7003은 외부 MOSFET 스위치와 직렬로 연결된 외부 감지 저항의 양단 전압을 모니터링함으로써 과전류 상태를 검출해낸다. 스위치 전류가 설정 수준을 넘어서는 것을 LTC7003이 감지하면, 오류 플래그(fault flag)가 작동하고 스위치는 외부 타이밍 커패시터에 의해 설정된 시간 동안 꺼지게 된다. 미리 설정했던 시간이 지나면 자동으로 복귀를 재시도 한다.

LTC7003은 접지 기반(ground-referenced)의 저전압 디지털 입력 신호를 수신해 신속히 하이사이드 N채널 파워 MOSFET를 구동하며, 이때 MOSFET의 드레인 전압은 GND 대비 최대 60V까지 허용된다. 상승 및 하강 속도가 13ns로 매우 빨라 1,000pF 의 부하를 구동할 때 스위칭 손실을 최소화 할 수 있다. 조절 가능한 전류 제한, 전류 모니터링 출력, 조절 가능한 과전압 록아웃(overvoltage lockout) 및 인에이블 입력 등의 기능을 지원한다.

#반도체 #ADI

김지혜 기자

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