로옴, 넓은 범위에서 고속 동작하고 저소비전력 한번에 잡는 FeRAM 출시

기사입력 2017.10.30 12:31

업계 최소 수준 대기 전류 10µA 달성

휴지 전류 0.1µA와 슬립 모드 복귀 시간 실현

최근 전자기기에서는 데이터의 대규모화, 저소비전력화, 모바일화, 순간적인 정전 등의 긴급 시를 포함한 데이터 보안 향상이 요구되고 있다.

라피스 세미컨덕터는 이러한 시장 요구에 대응하기 위해 대용량화, 넓은 전원전압 범위와 고속 동작의 양립, 대기/휴지 시를 포함한 저전력화를 실시하여, 배터리 구동 모바일기기 및 휴대용 단말기 등으로 전개가 기대되는 FeRAM을 개발했다.

1Mbit 강유전체 메모리인 MR45V100A 는 SPI BUS 제품으로, 1.8V~3.6V의 넓은 전원전압 범위에서 40MHz의 고속 동작이 가능하다. 이를 통해, 대용량 1Mbit 시, 전력 환경이 불안정한 지역에서 갑작스러운 전압 저하가 발생해도 안정된 고속 동작이 가능하여, 탑재 장치의 고속 데이터 백업을 안정성 있게 수행하도록 돕는다.

MR44V100A 는 I2C BUS 제품으로, 속도에 관계 없는 애플리케이션에 최적이다. 또한, 모바일기기의 데이터 대용량화에 따른 소비전력 증가를 억제하기 위해 스탠바이(대기) 모드를 개선함과 동시에, 라피스의 FeRAM으로는 처음으로 슬립(휴지) 모드를 탑재했다. 1Mbit FeRAM에서 업계 최소 수준의 스탠바이 전류 10µA (평균)와 슬립 전류 0.1µA (평균)를 각각 실현하여, 배터리 구동 시간이 중요시되는 결제 단말기 및 데이터 로거 등의 휴대용 단말기 및 모바일기기에도 전개가 가능하다.

제품 특징 및 사용분야

비휘발성 메모리 FeRAM은 EEPROM 및 플래시 메모리 등의 비휘발성 메모리에 비해 「고속 데이터 갱신」「고속 리라이트 내성」「저소비전력」이라는 특징이 있다.

라피스 세미컨덕터는 로옴의 강유전체 메모리 제조 기술과 라피스의 메모리 개발 기술을 융합하여, 2011년부터 다양한 용량과 인터페이스의 FeRAM을 개발했다. 비휘발성으로 고속 및 고빈도의 데이터 갱신을 필요로 하는 다기능 프린터, 차량용 액세서리, FA （Factory Automation） 기기 등에 채용되어 왔다.

제품의 장점
스탠바이(대기) 모드 시에는 동작하지 않아도 되는 회로의 전원을 철저히 차단하고, 동작 복귀 시에는 필요한 부분만 고속으로 초기화하여, 복귀 시 동작을 신속하게 처리할 수 있다. 이에 따라, 평균 10μA라는 1Mbit FeRAM으로는 업계 최소 수준※의 스탠바이 전류를 달성했다.

기존의 스탠바이 (대기) 모드보다 현격하게 저전력화가 가능한 슬립 모드를 라피스 세미컨덕터에서 최초로 탑재했다. 이에 따라, 슬립 모드시의 소비전류를 업계 최소 수준※인 평균 0.1μA로 달성했다. 또한, 슬립 모드에서의 복귀 시간을 업계 최단시간※인 100μs로 달성하여, 휴지 시간이 짧거나, 갑작스러운 동작 재개가 필요한 용도에서도 슬립 모드를 적용할 수 있다.

제품 상세 스펙

#반도체 #로옴

편집부news@e4ds.com

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