그동안 전력 반도체의 경우 실리콘 기반의 반도체를 사용했습니다. 하지만
최근 전기자동차와 5세대 이동통신(5G) 등장에 힘입어 기존의 반도체를 대체할 와이드밴드갭(WBG: Wide Band Gap) 반도체가 주목 받고 있습니다.
실리콘 카바이트(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 소재를 활용한 전력 반도체가 대표적 소재로, 이는 실리콘 기반 반도체보다 우수한 전기적 특성을 갖고 있는 것이 특징입니다. 보다 넒은 동작구간에서 에너지 전달 및 동작이 가능하여 더 높은 온도, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 스피드 등 하에서 탁월한 성과를 나타납니다.
따라서 이번 웨비나에서는 와이드밴드갭(WBG) 소자의 특성을 알아보고, 특히 그 중 GaN 소자 측정에 있어서 발생하는 어려움을 자세히 알아볼 예정입니다. 이를 바탕으로 텍트로닉스의 독자적인 프로빙 솔루션으로 GaN 소자 테스트를 해결하는 방법을 함께 짚어나가도록 하겠습니다.
웨비나 주요내용
- 가장 보편적인 MOSFET과의 WBG 반도체의 주요 차이점을 통해본 WBG 소자의 특장점
- GaN 소자 측정에 있어서의 문제점, 특히 High Side 부분의 측정 어려움
- Tektronix IsoVu
® 프로브를 활용하여 테스트 도전과제를 어떻게 해결할 수 있는지?
- 전통적인 고전압 프로브와 IsoVu 프로브를 이용한 GaN 소자 측정 결과 비교