와이드밴드갭(WBG: Wide Band Gap) 반도체는 실리콘 카바이트(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN)를 기반으로 한
차세대 반도체입니다. 와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 실리콘 반도체보다 훨씬 작고 빠르며 효율적입니다. 기존 반도체보다 우수한 전기적 특성을 갖고 있는 것이 특징으로, 보다 넓은 동작구간에서 에너지 전달 및 동작이 가능하여 더 높은 온도, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 스피드 등 하에서 탁월한 성과를 나타납니다.
Wide Bandgap 장치 특성화는 설계, 신뢰성 및 테스트 엔지니어에게 새로운 과제를 제시합니다. 이 세션에 참석하여 웨이퍼 레벨 또는 패키지 디바이스 레벨에서 특성화할 때 오류를 피하는 방법을 알아보세요.
이 세션에서는 와이드밴드갭(WBG)의 특성 및 소자의 특성에 대해 소개하며 솔루션을 제안드립니다. GaN 및 SiC 기반 장치 모두에 대한 다양한 DC 및 AC parameter 테스트를 다룰 것입니다. Keithley 장비로 테스트를 진행하는 법을 확인하고, 결과 데이터를 함께 확인해볼 예정입니다.
<웨비나 주요내용>
WBG 의 종류 및 특징 : WBG이란 무엇인지, 앞으로의 동향, 소자 특징 등 WBG에 대한 전반적인 내용을 안내합니다.
WBG test parameters: SiC, GaN 소자의 datasheet에서 Keithley 장비로 측정 가능한 test parameter를 확인합니다.
Test 진행 및 솔루션 제안 : Keithley 장비로 어떻게 테스트를 진행하는지를 살펴보고, 결과 데이터를 함께 확인합니다. WBG 소자를 테스트하기 위한 Keithley 장비 소개를 진행합니다.
4200A와
2600-PCT-4B가 그 대상입니다.