2020-07-14 10:30~12:00
Infineon / 문창수 상무
이*근2020-07-14 오전 11:25:29
관련자료를 볼수 있는 사이트가 있으면 공지해주시죠지*호2020-07-14 오전 11:24:23
[질문]기존 MOSFET 소재에서 최근에는 새로운 소재로 대체되거나 향상된 내역이 있는지 궁금합니다.Infineon_32020.07.14
Si 의 한계로 최근에는 SiC를 사용한 FET가 출시되고 있고, 추후 GaN FET를 개발중에 있습니다.Infineon_32020.07.14
Si의 한계로 SiC FET가 출시되고 있고, GaN도 개발되고 있습니다.최*환2020-07-14 오전 11:23:53
스위칭 손실을 줄이기 위하여 Gate Charging 시간을 어떻게 줄일 수 있습니까?Infineon_32020.07.14
두가지를 생각해 볼 수 있습니다. 게이트 구동 IC의 용량이 커야하고, 게이트 저항을 줄여서 스위칭 시간을 줄일 수 있습니다.장*윤2020-07-14 오전 11:23:22
안녕하세요. 질문여기드리면되나요?H3TRB는 IECQ보다 가혹조건으로 신뢰성시험을 하시는데요. HTRB항목의 바이어스 조건은 동일한건가요?김*우2020-07-14 오전 11:22:47
IGBT와 SiC MOS도 관심이 좀 많습니다 관련 교육도 부탁드립니다Infineon_22020.07.14
인피니언의김*우2020-07-14 오전 11:21:58
인피니언의 자료를 보면 박리검사시 precondition한 제품을 박리검사한다고 말씀해주셨는데 pre condition 조건은 별도문의하면 알려주시는건가요?Infineon_32020.07.14
quality 담당 쪽에 문의해서 자세한 테스트 스팩을 확인해 볼 수있습니다.신*헌2020-07-14 오전 11:21:27
L3 모델에서 Tj, Tcase 입출력에 대해 궁금했는데 어느 정도 해소가 되었습니다. 감사합니다.Infineon_22020.07.14
유익한 시간 되셨길 바랍니다. 더 좋은 교육으로 찾아 뵙겠습니다 ^^박*원2020-07-14 오전 11:21:18
자동차 부품이면 16949 인증이였을까요? 그 인증도 완료된 부품이지요?김*영2020-07-14 오전 11:21:00
HS FET와 LS FET로 한 상이 구성되어 있을 때 HS FET가 Off되고 LS FET가 Turn On 될 때 LS FET의 밀러플래토구간에서 HS FET Vgs가 튀는 현상이 있는데(LS Off시 HS FET Turn On될 때 밀러플래토 구간에서도 LS FET Vgs가 튐) 해당 현상이 발생하는 원인 또는 현상을 유발하는 기생성분이 어떤 것인지와 개선할 수 있는 방법이 어떤 것이 있는지 알 수 있을까요?Infineon_32020.07.14
Cds 때문에 gate측에 noise가 발생하는 것입니다. Cgs/Cds의 비가 최소 20이상이 되는 FET를 사용할 것을 추천합니다. Gate저항을 조절해서 dV/dt를 조절하기도 하지만, 많이 개선은 어렵습니다.이*도2020-07-14 오전 11:20:56
Thermal cycling 시험시 MOSFET 전원을 인가한 상태로 시험하나요? 아니면 미전원 방치시험인가요?Infineon_32020.07.14
인가하지 않습니다.[열린보도원칙] 당 매체는 독자와 취재원 등 뉴스이용자의 권리 보장을 위해 반론이나 정정보도, 추후보도를 요청할 수 있는 창구를 열어두고 있음을 알려드립니다.
고충처리인 강정규 070-4699-5321 , news@e4ds.com