자동차용 전력 분야 설계자들을 위한 MOSFET 특성 이해와 인피니언 MOSFET의 신뢰성 소개

2020-07-14 10:30~12:00

Infineon / 문창수 상무

웨비나정보 웨비나Q&A

박*훈2020-07-14 오전 10:53:11
인피니언에서 나오는 fet는 중 cu clip을 사용하는 제품은 특정 package에서만 사용하나요?
Infineon_32020.07.14
네 그렇습니다. leadless 제품들중에 사용하고 있습니다..
김*종2020-07-14 오전 10:53:09
Leadless Type 을 PCB Artwork 할때, 방열목적으로 카파를 깔때, Drain 쪽 카파를 넓게 해야되나요 ?, Sourse 쪽 카파를 넓게 해야되나요? 드레인, 소스 중 어느쪽이 더 온도가 높은가요 ?
Infineon_32020.07.14
Drain쪽에 해야합니다.
이*승2020-07-14 오전 10:52:17
정격전압이상의 전류가 발생할 경우 별도의 신호를 받으려고 하면 어떻게 하는게 좋을지요? 아니면 신호 정보가 있으면 알려주세요
Infineon_32020.07.14
정격이상의 전압이 발생하여 FET의 애벌런치 전압에 이르게 되면, FET는 애벌런치 영역으로 들어 갑니다. 이때 에너지를 별도로 계산해야 합니다. 그러나 이런 조건에서 FET의 온도는 상당히 높게되고 FET의 수명에 영향을 미치므로 정격 전압이상이 되지 않도록 주의해야 합니다.
이*훈2020-07-14 오전 10:51:56
안녕하세요 SiC와 Si 구조는 아예 다른가요? 그리고 인피니온에서는 GaN으로 구성된 FET를 어떻게 생각하는지 궁금합니다.
Infineon_32020.07.14
구조는 비슷합니다. GaN도 이미 출시중이고, GaN의 경우 구조는 상당히 다릅니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:51:44
동일한 전류 용량 소자중 가장 온도 조건에 적절한 소자는 Ron이 적은 소자라는 말인거죠? 그럼 무조껀 적은 소자를 선택하면되는건가요? 적은대신 trade off되는 부분은 무엇이 있을까요?
Infineon_32020.07.14
가격입니다. Rds가 적으면 die size가 클 가능성이 많고 같은 technology FET에서 가격이 더 비쌀 것입니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:51:11
FET 병렬 연결시 게이트 저항을 개별로 사용하나요? 아니면 하나의 게이트 저항만 사용하나요??
Infineon_32020.07.14
게이트 저항은 반듯시 각각 개별로 사용해야 합니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:50:17
FET 내압이 높을수록 Rdson이 크게 증가하는 이유는 절연 거리와 관계 있나요?
Infineon_32020.07.14
네..공핍층 영역등의 증가와 관련있습니다.
김*용2020-07-14 오전 10:49:42
[질문] 온도가 높은 곳에서 MOSFET을 적용하면 내부저항 값이 많이 커지는지요? 성능에 온도 영향이 큰지요?
Infineon_32020.07.14
온도에 따라 성능이 차이가 많이 납니다. 데이타시트에 온도에 따라 특성 그래프를 제공합니다. Rds(on)이 특히 영향이 많은 파라메타입니다.
이*우2020-07-14 오전 10:49:22
아까는 drain current를 Tc로 계산했는데 지금은 Ta로 하나요??
Infineon_32020.07.14
Tc나 Ta를 사용해서 할 수 있습니다. Tc의 경우 Rthjc를 사용하고 Ta의 경우 Rthja를 사용해서 Tj를 계산합니다.
김*주2020-07-14 오전 10:48:39
[질문] Rds온 저항이 다르면 혹시 대전류에 적용시 병렬연결하여 적용하면 문제가 있나요? 전류 비대칭 배분?
Infineon_32020.07.14
병렬 사용시는 동일한 FET를 사용해야 합니다.