MOSFET의 선정 및 사용 방법

2024-02-01 10:30~12:00

ROHM / 태현호 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

이*우2024-02-01 오전 11:34:15
SOA가 없는 데이터시트들은 Pd를 구해서 Pdmax만 안넘으면 안전하다고 볼 수 있을까요?
ROHM22024.02.01
폐사에서는 고객 문의가 있을 경우 별도 SOA 자료를 제출드릴 수 있습니다.
홍*철2024-02-01 오전 11:28:29
15페이지 SOA PW= 100us , 1ms , 10ms 는 어떤 타임을 정의하는 건가요?
ROHM12024.02.01
해당 SOA그래프는 싱글 펄스 기준으로서 펄스 폭을 의미합니다.
장*수2024-02-01 오전 11:27:41
[질문] FET Paralleling 구동시 전류 쏠림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함
ROHM22024.02.01
Vgs(th)의 편차로 인한 전류 쏠림 현상을 방지하기 위해서는 편차를 고려해 마진을 두어 Vgs를 인가해 주셔야 합니다. MOSFET의 turn on을 위해서는 사양서 상의 Vgs(th)보다는 항상 높은 전압을 인가하여 주십시오.
정*균2024-02-01 오전 11:22:44
어떤순간에 최대전류정격이 초과가 되는지 궁금합니다.
ROHM22024.02.01
ESD 발생은 다양한 요인에 의해 발생할 수 있습니다. 예시로 부하에서 돌입 전류가 급작스럽게 들어오는 경우 등이 있겠습니다.
박*규2024-02-01 오전 11:21:27
안녕하세요. 세미나 잘 들었습니다. MOSFET를 S/W로 사용하는데, IR drop에 의해 DUT로 전달되는 전압이 낮아 Gate와 Source 사이에 저항을 추가해서 Drain으로 인가되는 전압 대비 source단으로 출력되는 전압을 증폭하여 DUT로 전달되는 전압을 보정해 주려고 하는데, 이때 주의해서 고려할 사항이 있을까요?
ROHM12024.02.01
부품 절대 최대 정격이 넘지 않도록 주의 해서 사용 부탁 드립니다.
김*열2024-02-01 오전 11:18:47
[질문] 실제 스위칭 시간을 최소화하는 MOSFET 자체 기능이나 권장방안은?
ROHM22024.02.01
스위칭 시간은 Qg factor를 통해 결정됩니다. Qㅎ 충전 용량이 작을 수록 보다 고속 스위칭이 가능하므로 이를 고려하시어 소자 선정을 해 주시면 되겠습니다.
이*진2024-02-01 오전 11:11:29
MOSFET 이 바이폴라TR 대비 장점이 많은데요, 아직도 바이폴라TR 사용을 하는 경우는 어떤 케이스들인지요?
ROHM22024.02.01
사용할 수 있는 전력 범위가 유하거나 고속 스위칭 동작이 필요 없는 경우, 가격 측면을 고려하여 바이폴라TR을 선정하시는 고객분도 계십니다.
박*만2024-02-01 오전 11:09:33
ESD 내성을 강화하기 위해선, GS 에 ESD(DIODE) 소자를 추가하고 GD 에도 DIODE 를 추가하면 도움이 되겠죠?
ROHM22024.02.01
보호 소자를 추가하는 것을 말씀 주신 것처럼 ESD 내성 강화에 도움이 됩니다.
박*동2024-02-01 오전 11:06:58
발표자로의 SOA 라인에서 디레이팅할 때 기준은 Ta 25 도 기준에서 junction 온도 Tj 100 도를 기준 으로 하였습니다. Ta와 Tj 가 다르다면 디레이팅할 때 junction 온도에 따른 파워 손실 비율이 아닌 Ta에서의 파원 손실 비율을 참조해야 하지 않는지요?
ROHM22024.02.01
세미나 자료는 예시로 제공 드리는 것으로, 폐사 제품을 사용하실 경우 Ta 기준 derating graph의 측정 문의가 가능합니다.
이*진2024-02-01 오전 11:06:21
하나의 PKG에 여러개의 MOSFET 소자를 넣은 제품도 있는지요?
ROHM22024.02.01
Dual MOSFET의 경우 Nch이나 Pch를 각각 두 개씩 구성하거나, Nch + Pch 하나씩을 내부에 구성하고 있습니다.