MOSFET의 선정 및 사용 방법

2024-02-01 10:30~12:00

ROHM / 태현호 연구원

  • 한*웅2024-02-01 오전 10:53:55

    Tj(100도 기준)의 디레이팅을 고려해서 사용하려는 제품의 2배수 이상의 Pd를 허용하는 제품으로 초기 설계에 반영을 해야하는 건지요?
  • ROHM22024.02.01

    그렇습니다. 초기 설계 단계에서 회로 환경에 맞게 내압치를 계산하여 소자를 선택해 주셔야 합니다.
  • 최*은2024-02-01 오전 10:53:31

    [질문] 듀얼 MOSFET에 N+P타입도 있나요?
  • ROHM22024.02.01

    있습니다. 하기 URL을 참고해 주십시오. https://www.rohm.co.kr/products/mosfets/automotive/dual?PS_Polarity=Nch+Pch#parametricSearch
  • 김*민2024-02-01 오전 10:51:39

    [질문] 온 오프 그래프에서 손실이 되는 구간은 어디 부분인가요?
  • ROHM22024.02.01

    On/Off 그래프의 Vgs와 Id로서 저항치를 계산할 수 있겠습니다만, 기본적으로 손실은 Rds(on) 사양을 참고하는 것으로 가이드 드리고 있습니다.
  • 오*정2024-02-01 오전 10:51:26

    SOA의 마진 확보시, 마진확보 비율은 허용 손실을 이용하면 되는건가요?
  • ROHM12024.02.01

    네 허용 손실을 이용하여 검토 부탁드립니다.
  • 박*동2024-02-01 오전 10:50:44

    SOA 그래프에서 Tj 는Ta 와 동일하게 생각해도 되는 건가요?
  • ROHM22024.02.01

    Ta는 주변온도, Tj는 정션온도이므로 다른 개념이 됩니다.
  • 김*윤2024-02-01 오전 10:50:18

    depletion-mode FET는 무엇인가요?
  • ROHM12024.02.01

    공핍형MOSFET는 일반적인 MOSFET와 달리 상시 ON인 점이 다릅니다.
  • 최*은2024-02-01 오전 10:49:01

    [질문] Si IGBT는 ON/OFF 시간이 어떤 팩터에 의존하나요?
  • ROHM22024.02.01

    죄송합니다, MOSFET 관련 질문으로 부탁드립니다.
  • 김*민2024-02-01 오전 10:48:00

    [질문] 파워디바이스에 사용하려면 Vce Vds의 조건은 어떤게 유리한가요?
  • ROHM12024.02.01

    Vce Vds는 내압으로서 어플리케이션 조건에 맞춰 마진을 주어 검토 부탁 드립니다.
  • 이*진2024-02-01 오전 10:47:34

    로옴 홈페이지에서 사용자가 원하는 MOSFET 사양을 넣거나 체크하면 적절한 제품 리스트를 보여주는 기능이 있으면 좋겠습니다.
  • ROHM32024.02.01

    현재 로옴 홈페이지에는 간이 선정 툴로서 로드스위치용 MOSFET 선정 툴과 동기정류 DC-DC 컨버터용 MOSFET 선정 툴이 준비되어 있습니다. https://www.rohm.co.kr/calculators/mosfet-in-load-switch https://www.rohm.co.kr/calculators/mosfet-selection-dcdc
  • 박*동2024-02-01 오전 10:45:37

    ESD 내량에서 파형 예에 Y축이 전류인데 맞는 건가요? 전압이 아닌지요?
  • ROHM22024.02.01

    ESD 내량은 순간적으로 버틸 수 있는 전력치를 의미하므로 전압과 전류 모두 기준이 될 수 있습니다.
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