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SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

2024-09-05 10:30~12:00

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 최*완2024-09-05 오전 11:08:34

    위 시뮬레이터에서 회로 동작 시 정션 온도를 확인할 수 있는지요?

  • ROHM22024.09.05

    네, 주로 드레인-소스 전압, 드레인-소스 전류, 정션 온도 시뮬레이션에 유용합니다.

  • 최*휴2024-09-05 오전 11:02:23

    [질문] 평가보드는 free 제공 가능하신가요?

  • ROHM42024.09.05

    평가보드는 온라인 구입 또는 로옴의 문의 창구를 통해 구입 가능합니다.

  • 한*민2024-09-05 오전 11:01:29

    질문] SiC MOSFET은 고속 스위칭의 장점을 강조하셨는데, 온도 변화에 대한 성능유지나 전력처리에 대해서는 어떻게 적용되나요?

  • ROHM12024.09.05

    SJ-MOSFET와 비교한다면, Wide band gap device이므로, 고온으로 동작할 시에, 보다 안정적으로 동작합니다. (Si의 경우 Surge 전압이나 노이즈가 커지는 경우가 있습니다)

  • 이*준2024-09-05 오전 10:58:05

    실측대비 적합도의 수치 정보는 없다 하셨는데, 그럼 어떻게 prototyping 의 횟수 감소를 보증할 수 있을까요?

  • ROHM22024.09.05

    오늘 소개드린 Rohm Solution Simulator의 경우 시뮬레이션으로서 고객 회로에 관하여 보증하는 Simulator는 아닙니다. 간단한 Simulation을 통하여 Prototyping의 횟수 감소가 가능하다는 설명이며, Simulation 이후 실제 회로 검토를 추천드립니다.

  • 차*석2024-09-05 오전 10:56:26

    로옴은 SiC 전용 게이트드라이버 제품이 있나요?

  • ROHM22024.09.05

    Gate Driver 제품군 홈페이지 입니다. 참고 부탁드립니다. https://www.rohm.co.kr/products/power-management/gate-drivers

  • 정*균2024-09-05 오전 10:56:18

    [질문]PC에서 디자인된 회로를 시뮬레이션할수 있는 무료프로그램이 있는지 궁금합니다.

  • ROHM12024.09.05

    웹이 아닌 PC에 저장된 툴로는 Simetrix를 사용하고 있습니다만, Free version의 경우 회로 부품 수나 노드 수 제한이 있습니다. 따라서, 복잡한 회로를 무료로 시뮬레이션 할 수 있는 툴은 없는 것으로 알고 있습니다.

  • 김*민2024-09-05 오전 10:56:04

    [질문] 게이트 서지 보호 회로도 웹사이트에서 확인이 가능한가요?

  • ROHM22024.09.05

    네, 로옴 홈페이지에 접속하시면 게이트-소서 서지 전압을 막기위한에 대한 내용이 있습니다. 링크 참고 부탁드립니다. https://techweb.rohm.co.kr/product/power-device/sic/

  • 정*균2024-09-05 오전 10:55:09

    [질문]제4대 Sic제품은 이전제품에 비해서 어떤부분이 달라지는지요?

  • ROHM32024.09.05

    4세대 제품은 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현했습니다. 관련 내용은 링크를 참조해 주세요. https://www.rohm.co.kr/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo

  • 문*진2024-09-05 오전 10:54:29

    물리적으로 내 외부 열에 대해 각 부픔이라 회로에 안정성을 유지하는대 있어 Sic 제품에 내구성, 안정성은 타 밴더에 비해 어떤 차별점이 있는지 궁금합니다.

  • ROHM12024.09.05

    로옴에서는 SiC의 Substrate부터 모든 공정을 직접 하고 있으므로, 디바이스의 신뢰성, 내구성, 공급 안정성 측면에서, 우수하다고 생각하고 있습니다.

  • 최*섭2024-09-05 오전 10:54:26

    sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

  • ROHM22024.09.05

    Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.
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