SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

주*선2024-09-05 오전 11:18:51
[질문] 스파이스 모델을 스마트기기와 같은 모바일 상에서도 접속 및 열람이 가능ㅎ나가요?
ROHM12024.09.05
폐사에서 사용하고 있는 시뮬레이션 툴은 PC에만 설치되는 것으로 알고 있습니다. 해당 부분은 각 시뮬레이션 메이커에 다시 한번 체크를 부탁드리겠습니다.
조*나2024-09-05 오전 11:18:06
[질문] 시스템 레벨의 검증시에 가장 주요하게 검증하는 포인트나 고려사항은 무엇인가요?
ROHM22024.09.05
실제 회로의 실측 Data와 설게한 시뮬레이터의 시뮬레이션 Data의 차이를 줄이는 것이 가장 중요한 포인트로 생각하고 있습니다.
문*진2024-09-05 오전 11:16:31
가장 작은 평가보드 사이즈는 어떻게 되는지요? 초음파 모듈부분을 보드에 설게한다면 이에따른 로옴이 제공하는 테스트 tool도 있는지요
ROHM12024.09.05
폐사 평가보드는 Gate driver가 기준으로 설계되므로, 폐사 영업 창구를 통해 필요하신 게이트 드라이버 기능이나 사양을 알려주시면, 그에 맞는 게이트 드라이버 매칭 후에, 평가보드 정보를 드릴 수 있습니다.
전*호2024-09-05 오전 11:15:28
[질문] SiC MOSFET의 스위칭 파형 구현 관련 이슈해결 노하우와 차별점이 궁금합니다
최*휴2024-09-05 오전 11:14:28
[질문] 시뮬레이션 정밀도를 향상시키려면 시간이 길어 진다고 하셨는데, 신규모델을 사용한 시뮬레이션 시간은 기존대비 3.8배 이고, 합리적인 결과라고 하셨습니다. 합리적인 결과의 근거는 무엇인가요? 궁금합니다.
이*진2024-09-05 오전 11:14:28
유익한 웨비나 감사드립니다.
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^ 설문도 잊지말고 제출 부탁드립니다!
권*식2024-09-05 오전 11:13:32
[질문] 시뮬레이션 정밀도 향상을 위해서 PCB나 평가 키트도 별도 구축해야하는지요
ROHM22024.09.05
시뮬레이션의 경우 PCB나 평가 키트를 구축하지 않고 시뮬레이터에 회로를 그려 테스트가 가능합니다.
조*나2024-09-05 오전 11:12:35
[질문] 스위칭 파형의 노이즈나 기타 간섭을 최소화 하는 방안은 무엇이며, 어떤 요소가 가장 큰 문제가 되나요?
ROHM22024.09.05
주요 요인은 배선상의 L성분과 소자의 기생 C성분이 있고 뿐만 아니라 복합적 요소에 의하여 SW노이즈가 발생합니다. 일반적인 방안으로 라인필터사용, closed loop 면적 최소화, 배선길이 단축 등이 있습니다.
최*휴2024-09-05 오전 11:10:17
[질문] 소개하고 있는 자료(p34)에 상세모델에 관해 열 유체 시뮬레이션 가능하다고 되어있는데요. NDA이후 Free로 제공 가능한가요? 확인 부탁 드립니다.
ROHM22024.09.05
Rohm Solution Simulator에서 제공하고 데이터를 제공하고 있지는 않습니다. 열 시뮬레이션에 필요한 SPICE계 Cauer 모델, 2저 모델의 경우 Web 사이트에서 제공하고 있습니다. 단 모든 기종에 대응하는 것은 아닙니다.
주*선2024-09-05 오전 11:09:40
[질문] 시뮬레이션 품질 및 정확도를 높이기 위해 최우선적으로 고려해야 하는 사항은 무엇이며, AI 등 신기술을 통해 높이는 방안이 적용되거나 향후 적용 예정인지 문의 드립니다
ROHM22024.09.05
시뮬레이션 정확도를 높이기 위하여 실제 회로의 데이터와 시뮬레이션 결과 데이터의 차이를 줄이는 것이 고려 사항입니다. 현재 AI 등 신기술을 통한 방안을 고려하고 있는 상태는 아닙니다.