SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

최*완2024-09-05 오전 11:08:34
위 시뮬레이터에서 회로 동작 시 정션 온도를 확인할 수 있는지요?
ROHM22024.09.05
네, 주로 드레인-소스 전압, 드레인-소스 전류, 정션 온도 시뮬레이션에 유용합니다.
최*휴2024-09-05 오전 11:06:32
[질문] SiC MOSFET 어느 부분에 양산 적용 되는 제품인가요?
최*휴2024-09-05 오전 11:02:23
[질문] 평가보드는 free 제공 가능하신가요?
ROHM42024.09.05
평가보드는 온라인 구입 또는 로옴의 문의 창구를 통해 구입 가능합니다.
한*민2024-09-05 오전 11:01:29
질문] SiC MOSFET은 고속 스위칭의 장점을 강조하셨는데, 온도 변화에 대한 성능유지나 전력처리에 대해서는 어떻게 적용되나요?
ROHM12024.09.05
SJ-MOSFET와 비교한다면, Wide band gap device이므로, 고온으로 동작할 시에, 보다 안정적으로 동작합니다. (Si의 경우 Surge 전압이나 노이즈가 커지는 경우가 있습니다)
이*진2024-09-05 오전 11:00:32
감사합니다. 수고하셨습니다.
신*영2024-09-05 오전 10:59:51
감사합니다.
지*호2024-09-05 오전 10:59:39
[질문]SiC MOSFET 고속 스위칭 설계 시, 노이즈 등을 낮추기 위한 주요 요인은 무엇인지요? 시뮬레이션과 실측 데이터에서의 오차와 오류를 줄이기 위한 주요 로옴의 차별성은 어떻게 되는지요?
이*준2024-09-05 오전 10:58:05
실측대비 적합도의 수치 정보는 없다 하셨는데, 그럼 어떻게 prototyping 의 횟수 감소를 보증할 수 있을까요?
ROHM22024.09.05
오늘 소개드린 Rohm Solution Simulator의 경우 시뮬레이션으로서 고객 회로에 관하여 보증하는 Simulator는 아닙니다. 간단한 Simulation을 통하여 Prototyping의 횟수 감소가 가능하다는 설명이며, Simulation 이후 실제 회로 검토를 추천드립니다.
김*수2024-09-05 오전 10:57:17
수고하셨습니다.
문*진2024-09-05 오전 10:57:12
좋은 내용 설명 감사합니다~