SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

2024-09-05 10:30~12:00

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

이*우2024-09-05 오전 10:36:12
1. 기존 MOSFET을 구성하고 있는 물질과 SiC MOSFET을 구성하고 있는 물질 차이가 있을까요? 2. SiC 물질을 사용함으로 인헤 Rds on이 낮다라는 의미인지 문의 드립니다.
ROHM22024.09.05
1. 네 Si와 SiC는 다른 물질입니다. 절연 파괴 강도가 SiC가 10배 높습니다. 2. 절연 파괴 강도가 높아 동내압 Si 대비 단위 면적당 on저항이 낮은 제품을 실현 가능합니다.
김*민2024-09-05 오전 10:35:49
[질문] SiC MOSFET 와 SJ-MOS 를 비교하면 ON 저항률은 어떻나요?
ROHM12024.09.05
같은 chip size로는 On저항이 크게 감소되었습니다.
강*성2024-09-05 오전 10:35:10
SiC의 기지국이라 함은 어느쪽에 사용을 말하는건가요? 정류기? Core 장비 DU RU ??
ROHM22024.09.05
네, 정류기 측 고내압 MOSFET 단을 상정합니다.
최*은2024-09-05 오전 10:34:24
[질문] 게이트 구동 전압 범위 개선 목표가 있나요?
ROHM12024.09.05
게이트 구동 전압에 대한 고객의 니즈를 반영하여, 4세대부터는 15V~18V에서 On이 가능하도록 출시되었습니다.
강*성2024-09-05 오전 10:34:07
SiCristal 사를 인수해서 SiC 라인업을 구축한 것이죠?
ROHM12024.09.05
네 맞습니다.
강*성2024-09-05 오전 10:33:28
SiC 8인치 웨이퍼까지 양산 중인건가요? 계획인가요? Rohm SiC 양산 웨이퍼 사이즈가 궁금합니다.
ROHM12024.09.05
현재 6인치 웨이퍼로 양산하고 있습니다. 추후 웨이퍼 사이즈를 키울 가능성은 있습니다.
김*민2024-09-05 오전 10:32:49
[질문] SiC MOSFET 의 경우 내압이 얼마까지 라인업이 있는지요?
ROHM22024.09.05
1200V 까지 양산제품 라인업이 있습니다.
최*은2024-09-05 오전 10:32:02
[질문] SiC 는 Si 에 비해 절연 파괴 전계 강도가 어떻게 되나요?
ROHM22024.09.05
절연 파괴 강도가 10배 정도 됩니다. 고전에서 더 잘 동작할수 있음을 의미합니다.