e4ds news

前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지 전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 ..

2024.03.11by 성유창 기자

▲Ezgi Dogmus Yole 그룹 애널리스트가 발표하고 있다 2022년 430억불 규모 車 반도체, 2028년 840억3,000만불 성장 전망 2028년 100억불 xEV 파워 반도체 디바이스, SiC MOSFET 56억불 차지 GaN, 파워..

2024.02.01by 성유창 기자

▲차세대 통합 갈륨 나이트라이드(GaN) 브리지 디바이스 MasterGaN1L·MasterGaN4L 출시(이미지:ST) 차세대 통합 GaN 브리지 디바이스 제품군 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 S..

2024.01.15by 권신혁 기자

▲2023 대한민국 산업기술 R&D 대전에서 2024년 산업기술 R&D 과제기획 공청회가 진행됐다. KEIT, “산업계, 초격차 R&D에 70% 지원” “나눠주기식, 갈라치기식, 뿌려주기식 배제&..

2023.12.07by 권신혁 기자

▲저전력 GaN 포트폴리오 확장으로 ACDC 전원 어댑터 크기 50% 축소(사진:TI) AC/DC 크기 절반, 열 설계 간소화 가능 텍사스 인스트루먼트(TI)가 1일 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다. ..

2023.12.01by 권신혁 기자

▲디엠지모리코리아 오픈하우스 2023 디엠지모리코리아 오픈하우스 개최 Si·SiC 소재 적용 가능한 정밀 가공 “화합물 소재 日 선도, 韓 육성 必” 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(G..

2023.11.21by 권신혁 기자

▲요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO (사진 제공: 인피니언) GaN 기반 전력 변환 솔루션·첨단 애플리케이션 노하우 확보 GaN, 에너지 효율 향상·이산화탄소 절감 솔루션 구현에 중요 인피..

2023.10.26by 성유창 기자

▲GaN RF 장치 시장 전망(자료:마켓앤드마켓) GaN RF 2023년 15억불 → 2028년 28억불 성장 高 항복 전압-전자 이동성·낮은 스위칭 손실 이점 GaN 글로벌 업체들 리딩, 국내 3사 G..

2023.08.04by 권신혁 기자

갈륨, GaN·Ga2O3 전력반도체 사용·국내 개발단계 반도체용 GeH4, 전량 수입 불구 미국 등 다변화 GeH4 GAA 공정 등 차세대 반도체 공정 수요 증가 중국의 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge) 수출통제가 시작된 8월1일 이후 국..

2023.08.03by 배종인 기자

안전성·전기적 보호 기능·부품원가 절감 장점 전파 지연 최소화 45ns…빠른 동적 응답 보장 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 뛰어난 와이드 밴드갭 효율성..

2023.07.11by 성유창 기자