인피니언이 차세대 80V 및 100V 전력 MOSFET 기술인 StrongIRFET 2를 공개했다. 낮은 스위칭 주파수와 높은 스위칭 주파수 모두에 최적화됐고, 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있어 설계 유연성이 높다. 이전 세대와 비교해서 RDS(on)이 40% 향상됐고, Qg가 50% 이상 낮아 더 높은 전력 효율로 전반적인 시스템 성능을 향상한다.
인피니언, 2세대 StrongIRFET 기술 발표
UPS, SMPS, 모터 드라이브 등에 적합
TO-220 이외의 패키지 추후 출시
인피니언은 18일, 차세대 80V 및 100V 전력 MOSFET 기술인 StrongIRFET™ 2를 출시한다고 밝혔다. 현재 TO-220 패키지 제품의 주문이 가능하며, 향후 TO-220 FullPAK, D2PAK, D2PAK 7핀, DPAK 패키지 제품이 추가될 예정이다.
▲ 2세대 StrongIRFET 제품 출시 [사진=인피니언]
낮은 스위칭 주파수와 높은 스위칭 주파수 모두에 최적화됐고, 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있어 설계 유연성이 높다. SMPS, 모터 드라이브, 배터리로 구동되는 공구, 배터리 관리, UPS, 경전기차(LEV) 등의 애플리케이션에 적합하다.
StrongIRFET 2 기술은 이전 세대와 비교해서 RDS(on)이 40% 향상됐고, Qg가 50% 이상 낮아 더 높은 전력 효율로 전반적인 시스템 성능을 향상한다. 높아진 전류 정격은 전류 전달 능력을 높이므로 병렬로 여러 개의 디바이스를 사용할 필요가 없다. 따라서 BOM 비용을 줄이고 보드 공간을 절약한다.