자동차 충전기와 트랙션 인버터를 설계할 때
전력 스위칭 용도로 SiC FET 사용하면 적합
울프스피드 C3M SiC FET 제품군과 시너지


실리콘랩스는 18일, 인버터와 전원공급장치(PSU) 시장에 대응하는 절연형 게이트 드라이버 제품군인 ‘Si828x’에 버전 2 제품들을 추가하고 공급한다고 밝혔다.

Si828x 버전 2의 4A 피크 게이트 구동 전류는 SiC FET 및 IGBT를 효율적으로 단속하며, 전기차 및 산업용 애플리케이션의 운영 비용을 절감한다. 향상된 CMTI(common mode transient immunity)를 통해 버전 1 대비 스위칭 전환 시간이 짧아졌고, 스위칭 주파수도 높아져, 시스템 전력 손실을 더욱 줄인다.

추가 UVLO(undervoltage-lockout) 설정으로 SiC FET 유연성을 높이고, 잘못 제어된 PSU로부터 보호한다. DC-DC 컨버터가 통합돼 설계를 단순화하고 시스템 비용을 절감한다. 장애 발생 조건 감지와 완화를 위한 FET 불포화 보호 기능, 기생 유발 슛 스루 조건을 제거하는 밀러 클램프를 포함하고 있다.

실리콘랩스의 브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “자동차 충전기와 트랙션 인버터의 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 효율을 높이는 밀러 클램프 조합으로 큰 이점을 얻을 수 있다”라고 말했다.

Si828x 제품군은 울프스피드의 ‘C3M’ SiC FET 제품군과 함께 사용하면 전력과 변환 효율이 향상된다. 엔지니어는 Si828x 및 C3M 제품군을 함께 사용한 테스트 보고서와, 테스트에 사용된 하프 브리지 레퍼런스 디자인을 참고할 수 있다.